类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：4.5A
　　功耗（Pd）：40W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.65Ω（典型值）
　　封装类型：TO-220、TO-251等

3N151具有多项优良的电气特性和物理特性，适合多种应用场景。其最大漏源电压为100V，能够承受较高的电压应力，适用于需要中等功率开关的电路设计。栅源电压允许达到±20V，这为设计者提供了较大的栅极驱动灵活性，同时避免了栅极氧化层击穿的风险。
　　该MOSFET的连续漏极电流为4.5A，能够在较高电流条件下稳定工作，适合用于电机驱动、电源转换等高电流需求的场合。其导通电阻约为0.65Ω，在同类器件中处于中等水平，能够在导通状态下减少功率损耗，提高系统的整体效率。
　　3N151的功耗为40W，配合适当的散热器可有效降低结温，延长器件寿命。工作温度范围从-55°C到+150°C，适应各种严苛的环境条件，具有较强的环境适应能力。
　　该器件的封装形式包括TO-220和TO-251，便于安装在PCB上，并具有良好的散热性能。TO-220封装常用于插件安装，适合高功率应用；而TO-251则适用于表面贴装技术，节省空间并提高装配效率。
　　此外，3N151具备快速开关能力，适用于高频开关电路，有助于减小变压器和电感元件的尺寸，提高电源系统的功率密度。其结构设计也提供了良好的热稳定性，能够在高温环境下保持正常工作。

3N151广泛应用于多种功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、直流电机控制、逆变器、电池管理系统、LED照明驱动电路以及各种高功率负载开关电路。在开关电源设计中，3N151可用于DC-DC转换器或AC-DC整流后的功率开关，其较高的电压和电流承受能力使其适合用于中功率电源适配器、充电器和电源模块。在电机控制应用中，该MOSFET可用于H桥驱动电路，实现直流电机的正反转控制和调速功能，同时具备良好的过载能力和热稳定性。在逆变器系统中，3N151可作为功率开关元件，用于将直流电转换为交流电，适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）等应用。此外，该器件还可用于电池管理系统中的充放电控制开关，确保电池在安全范围内工作。在LED照明领域，3N151可用于恒流驱动电路，实现对大功率LED灯的高效驱动和调光控制。其快速开关特性和低导通电阻使其在高频PWM调光中表现出色，有助于提高照明系统的能效和响应速度。

IRF540, FQP4N60, 2N6781