时间：2025/8/13 21:22:31
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RS3ATR-13 是一款由 Diodes 公司生产的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高性能电源管理应用，尤其是在空间受限的便携式电子产品中表现出色。RS3ATR-13 采用先进的沟槽技术，能够在较低的导通电阻（Rds(on)）下提供较高的电流能力，从而提高效率并减少功率损耗。其封装形式为 SOT-23（小外形晶体管封装），具有良好的热稳定性和可靠性。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：-30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：-300mA
导通电阻 Rds(on)：最大值 1.8Ω @ Vgs = -10V，最大值 2.2Ω @ Vgs = -4.5V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23
RS3ATR-13 的核心优势在于其低导通电阻和紧凑的 SOT-23 封装形式，这使其在小型化设计中具有显著优势。该器件的栅极驱动电压范围较宽（-4.5V 至 -20V），支持多种控制器或驱动电路的兼容性。由于采用了先进的沟槽式 MOSFET 工艺，RS3ATR-13 在高电流下仍能保持较低的压降，从而减少发热并提高系统效率。此外，该 MOSFET 具有良好的热稳定性，可在高环境温度下稳定工作，适用于要求高可靠性的工业和消费类电子产品。
该器件的封装形式 SOT-23 是一种常用的表面贴装封装，便于在 PCB 上布局和焊接，同时具备良好的散热性能。RS3ATR-13 的高可靠性、低功耗和小尺寸特性使其成为负载开关、电源管理、DC-DC 转换器、电池管理系统以及各种便携式设备中的理想选择。
RS3ATR-13 主要应用于需要高效能和低功耗的小型电源管理系统中，如便携式电子设备中的负载开关、电池保护电路、DC-DC 转换器和电压调节器。此外，该器件也广泛用于工业自动化设备、手持仪器、无线通信模块、智能家居设备等对空间和效率有较高要求的应用场景。
Si3442DSV-T1-GE3, DMG2305UX-7, FDMS3610S
