您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IXTA76N25T

IXTA76N25T 发布时间 时间:2023/3/6 13:52:54 查看 阅读:550

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:-

 


目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:-

    FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 特点:标准型

    开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:39 毫欧 @ 500mA, 10V

    漏极至源极电压(Vdss):250V

    电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:76A

    Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 1mA

    闸电荷(Qg) @ Vgs:92nC @ 10V

    在 Vds 时的输入电容(Ciss) :4500pF @ 25V

    功率 - 最大:460W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:D2Pak,TO-263(2 引线 + 接片)

    包装:管件

    供应商设备封装:*


资料

厂商

IXYS

IXTA76N25T推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IXTA76N25T参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)250V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C76A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C39 毫欧 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs92nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4500pF @ 25V
  • 功率 - 最大460W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装TO-263
  • 包装管件