时间：2025/6/24 0:48:34
阅读：2
FV31N150J102PXG 是一款由富士电机（Fuji Electric）生产的高压功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用了先进的沟槽栅极技术，能够提供低导通电阻和高开关性能，适用于各种高电压、大功率应用场合。
此型号中的具体参数定义为：额定电压1500V，电流31A，封装形式为PXG。由于其出色的电气特性和可靠性，这款MOSFET被广泛应用于工业电源、变频器、太阳能逆变器以及电动汽车等领域。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压：1500V
最大连续漏极电流：31A
导通电阻：60mΩ（典型值）
栅极电荷：78nC（典型值）
总功耗：350W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装形式：PXG
FV31N150J102PXG具有以下显著特点：
1. 高耐压能力：该器件的漏源电压高达1500V，适用于高压系统设计，可确保在极端条件下稳定运行。
2. 低导通电阻：仅为60mΩ，有效降低传导损耗，提高效率。
3. 快速开关性能：得益于先进的制造工艺，该MOSFET具备较低的栅极电荷和输出电荷，从而实现快速开关操作。
4. 热性能优异：采用大尺寸PXG封装，具备良好的散热能力，能够在高功率密度环境下长时间工作。
5. 可靠性高：经过严格的质量测试，适合恶劣环境下的长期使用。
FV31N150J102PXG主要应用于以下几个领域：
1. 工业电源：如不间断电源（UPS）、直流电源模块等。
2. 变频驱动：用于电机控制、伺服驱动和变频空调等。
3. 太阳能逆变器：作为关键功率开关元件，用于高效能量转换。
4. 电动汽车：包括车载充电器、DC-DC转换器和牵引逆变器等。
5. 其他高压电力电子设备：例如焊接机、激光电源等需要高电压、大电流的场景。
FV31N150H102PXF,FV31N150J102PXH
