RS2G17XC6 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,主要应用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等场景。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提升系统的效率和性能。
RS2G17XC6 属于 N 沟道增强型 MOSFET,适用于高频开关应用场合。其封装形式为 TO-220,具备良好的散热性能,能够承受较高的功率负载。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
持续漏极电流:38A
导通电阻(典型值):4.5mΩ
总栅极电荷:45nC
开关时间:ton=12ns, toff=18ns
结温范围:-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低功率损耗。
2. 快速的开关速度,适合高频应用。
3. 高额定电流能力,支持大功率负载。
4. 具备出色的热稳定性和可靠性。
5. 栅极阈值电压经过优化设计,便于驱动电路兼容性。
6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
RS2G17XC6 广泛应用于多种电力电子领域,包括但不限于以下场景:
1. 开关电源中的同步整流。
2. DC-DC 转换器的核心开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率控制。
4. 电池保护系统中的负载切换。
5. 各种工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 太阳能逆变器和其他新能源相关设备。
IRFZ44N
STP30NF06
FDP5500