类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：1300V
　　最大漏极电流(Id)：38A
　　最大功率耗散(Pd)：300W
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为0.24Ω（在Vgs=10V时）
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：约4.5V
　　工作温度范围：-55℃～+150℃
　　封装形式：TO-247

G38N130D MOSFET具有多个关键特性，适用于高要求的功率应用。
　　首先，其高电压能力（最大1300V）使其适用于高压电源转换系统，如开关电源（SMPS）、逆变器和太阳能逆变器等。该器件能够承受高电压应力，同时具备良好的击穿电压稳定性和抗雪崩能力，提高了系统的可靠性。
　　其次，该MOSFET具有相对较低的导通电阻（Rds(on)）典型值为0.24Ω。这一特性有助于降低导通损耗，提高电源系统的整体效率，尤其适用于高频开关应用。同时，低Rds(on)减少了器件在高电流工作下的温升，从而延长了使用寿命。
　　此外，G38N130D具有较高的最大漏极电流（38A），适用于需要承受瞬态大电流的场合，如电机驱动、电源负载切换等。其高速开关特性也使其适用于高频电源拓扑结构，例如谐振转换器和ZVS（零电压开关）电路。
　　在封装方面，G38N130D采用TO-247封装，具备良好的热性能和机械稳定性，便于散热设计和安装，适用于工业级和高可靠性应用环境。
　　最后，该器件的栅极阈值电压约为4.5V，能够与标准的MOSFET驱动电路兼容，降低了驱动电路的设计复杂度。

G38N130D MOSFET主要应用于需要高电压、高电流处理能力的电源系统。例如，在开关电源（SMPS）中，该器件可用于高边或低边开关，提供高效的能量转换。在逆变器系统中，如太阳能逆变器和不间断电源（UPS），G38N130D能够处理高电压和高电流，实现稳定的交流输出。此外，该器件也适用于电机控制应用，如无刷直流电机（BLDC）驱动和伺服电机控制，其快速开关能力和高电流处理能力有助于实现精确的控制和高效的运行。在工业自动化和电力电子系统中，G38N130D也可用于电源管理、负载切换和电能质量调节设备。

SGW40N120RDT4, FGA40N120ANTD, IXGH40N120T