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BSC009NE2LS 发布时间 时间:2025/6/30 15:25:06 查看 阅读:7

BSC009NE2LS是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于开关和功率转换应用。该器件采用SOT-23封装形式,适合在紧凑型设计中使用。其低导通电阻特性使其成为便携式设备、消费类电子产品以及信号切换的理想选择。
  这款MOSFET以其出色的开关性能和较低的功耗而著称,能够满足多种低压应用场景的需求。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:1.8A
  导通电阻(典型值):90mΩ
  总功耗:410mW
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

BSC009NE2LS具有非常低的导通电阻,从而降低了功率损耗并提升了效率。它支持快速开关操作,具备较高的dv/dt耐受能力。此外,该器件的高雪崩击穿能量增强了系统的可靠性。由于采用了小型化的SOT-23封装,因此非常适合空间受限的应用场景。
  其他关键特性包括:
  - 极低的输入电容,有助于减少开关损耗。
  - 高度稳定的电气性能,在各种环境条件下表现一致。
  - 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

BSC009NE2LS广泛应用于多种领域,包括但不限于:
  1. 开关电源中的同步整流器。
  2. 电池供电设备中的负载开关。
  3. 消费类电子产品的保护电路。
  4. 电机驱动与控制。
  5. 移动通信设备中的电源管理。
  6. 工业自动化系统中的信号切换功能。

替代型号

BSC010N06LS
  BSC011N06LS
  FDC6501
  IRLML6401

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BSC009NE2LS参数

  • 数据列表BSC009NE2LS
  • 标准包装5,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C100A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C0.9 毫欧 @ 30A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs126nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5800pF @ 12V
  • 功率 - 最大96W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装PG-TDSON-8
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BSC009NE2LS-NDBSC009NE2LSATMA1SP000893362