1210N181G201CT 是一款表面贴装技术 (SMT) 的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT),属于宽带隙半导体器件,具有高频、高效率和高功率密度的特性。该器件适用于高频射频放大器、DC-DC转换器以及其他高效能功率应用。其设计结合了先进的材料科学与制造工艺,使得该型号能够在高频工作环境下保持优异的性能。
型号:1210N181G201CT
类型:GaN HEMT
额定电压:650 V
额定电流:18 A
导通电阻:18 mΩ
栅极电荷:70 nC
开关频率:高达 5 MHz
封装形式:TO-247-4L
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
1210N181G201CT 具有以下主要特性:
- 高击穿电压:该器件能够承受高达 650V 的电压,适合高压应用场景。
- 低导通电阻:仅为 18mΩ,确保了高效的功率传输并减少了能量损耗。
- 快速开关速度:支持高达 5MHz 的开关频率,特别适合高频应用环境。
- 热稳定性强:能够在宽广的工作温度范围内(-55°C 至 +175°C)正常运行,适应恶劣环境。
- 小型化设计:采用表面贴装封装,有助于减少整体电路板面积和系统体积。
- 高可靠性:基于 GaN 技术的内在优势,具备更高的耐用性和使用寿命。
该器件广泛应用于以下领域:
- 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器
- 无线充电设备
- 太阳能逆变器
- 电动车辆驱动器和电机控制
- 高效射频功率放大器
- 工业自动化及通信基础设施
- 快速充电器和其他消费类电子产品
1210N150G151CT, 1208N150G101CT