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1210N181G201CT 发布时间 时间:2025/7/9 19:17:56 查看 阅读:9

1210N181G201CT 是一款表面贴装技术 (SMT) 的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT),属于宽带隙半导体器件,具有高频、高效率和高功率密度的特性。该器件适用于高频射频放大器、DC-DC转换器以及其他高效能功率应用。其设计结合了先进的材料科学与制造工艺,使得该型号能够在高频工作环境下保持优异的性能。

参数

型号:1210N181G201CT
  类型:GaN HEMT
  额定电压:650 V
  额定电流:18 A
  导通电阻:18 mΩ
  栅极电荷:70 nC
  开关频率:高达 5 MHz
  封装形式:TO-247-4L
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

1210N181G201CT 具有以下主要特性:
  - 高击穿电压:该器件能够承受高达 650V 的电压,适合高压应用场景。
  - 低导通电阻:仅为 18mΩ,确保了高效的功率传输并减少了能量损耗。
  - 快速开关速度:支持高达 5MHz 的开关频率,特别适合高频应用环境。
  - 热稳定性强:能够在宽广的工作温度范围内(-55°C 至 +175°C)正常运行,适应恶劣环境。
  - 小型化设计:采用表面贴装封装,有助于减少整体电路板面积和系统体积。
  - 高可靠性:基于 GaN 技术的内在优势,具备更高的耐用性和使用寿命。

应用

该器件广泛应用于以下领域:
  - 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器
  - 无线充电设备
  - 太阳能逆变器
  - 电动车辆驱动器和电机控制
  - 高效射频功率放大器
  - 工业自动化及通信基础设施
  - 快速充电器和其他消费类电子产品

替代型号

1210N150G151CT, 1208N150G101CT

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1210N181G201CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥1.19219卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容180 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用通用
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)-
  • 引线间距-
  • 引线样式-