品牌：Hamlin (TE Connectivity)
　　类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　电容值：4.7μF
　　额定电压：25V
　　电容容差：±20%
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：X5R
　　封装/尺寸：0805（2012公制）
　　直流偏压特性：典型值在额定电压下电容下降约30%-40%
　　绝缘电阻：≥500MΩ 或 ≥1000Ω·F（取较大值）
　　最大纹波电流：依据频率和温升而定
　　老化率：≤2.5%每1000小时
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　端接类型：镍阻挡层，锡镀层
　　产品等级：工业级 / 汽车级（AEC-Q200兼容）
　　介质材料：陶瓷（钡钛酸盐基）

HSMJ-A461-W40M1具备优异的电性能和机械稳定性，其核心优势在于采用了X5R类电介质材料，这种材料在-55°C至+125°C的宽温度范围内具有相对稳定的电容表现，电容变化率控制在±15%以内，远优于其他如Y5V等介电材质。这使得该电容器非常适合用于对温度敏感的应用场合，例如汽车电子控制单元（ECU）、工业传感器和通信模块。X5R介质还提供了良好的非线性响应，即便在施加直流偏置电压时，电容值也不会急剧下降，相较于其他高介电常数材料（如Y5V）更具优势。
　　该器件采用0805（2012）小型化封装，在保证一定机械强度的同时实现了紧凑布局，特别适合高密度PCB设计。其内部结构通过精密叠层技术构建多个电容单元并联，有效降低了等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），从而提升了高频响应能力。这一特性使其广泛应用于开关电源输出端的滤波电路中，能够高效抑制噪声和电压波动，提高系统稳定性。
　　HSMJ-A461-W40M1还具备出色的抗热冲击能力和焊接耐受性，经过多次回流焊测试后仍能保持电气性能稳定。其端电极采用镍阻挡层和锡外镀层结构，防止银迁移现象，增强长期可靠性。此外，该器件符合AEC-Q200汽车级可靠性标准，可用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器和电池管理系统等严苛环境中。整体而言，这款MLCC结合了高容量密度、良好温度稳定性与高频性能，是现代电子设计中理想的去耦和储能元件。

HSMJ-A461-W40M1广泛应用于多种高性能电子系统中，尤其适用于需要稳定电容值和高可靠性的场合。在电源管理系统中，它常被用作DC-DC转换器的输入和输出滤波电容，有效平滑电压波动并减少电磁干扰（EMI）。由于其低ESR和良好高频特性，该器件在高速数字电路中作为旁路电容使用，可为处理器、FPGA和ASIC等芯片提供瞬态电流支持，降低电源噪声，提升信号完整性。
　　在汽车电子领域，HSMJ-A461-W40M1可用于车身控制模块、仪表盘、车载导航系统及辅助驾驶系统中，满足AEC-Q200标准的要求，确保在极端温度和振动环境下仍能稳定运行。此外，该电容器也适用于工业自动化设备中的PLC控制器、电机驱动器和传感器接口电路，提供可靠的去耦和滤波功能。
　　消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该型号因其小型化封装和高容量密度而受到青睐，用于主板上的局部电源去耦和噪声抑制。同时，在射频模块和无线通信设备中，它也可作为耦合或去耦电容，保障射频信号路径的纯净度。总之，HSMJ-A461-W40M1凭借其综合性能优势，成为跨行业广泛应用的关键被动元件之一。

GRM21BR6YA475ME43L
　　CL2012X5R1E475M050AE
　　C1608X5R1E475M