型号：RF15N2R0B500CT
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　连续漏极电流（Id）：15A
　　脉冲漏极电流（Idm）：60A
　　导通电阻Rds(on)：2.0mΩ（典型值），2.3mΩ（最大值）@ Vgs=10V
　　栅源阈值电压（Vgs(th)）：3.0V ~ 4.0V
　　栅极电荷（Qg）：90nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：3800pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：45ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247

RF15N2R0B500CT采用罗姆专有的场截止（Field-Stop）技术和超结结构设计，显著降低了导通电阻与输出电容之间的乘积（Rds(on) × Coss），从而实现了更高的能效和更快的开关速度。这种优化使其在硬开关和软开关拓扑中均表现出色，特别是在PFC（功率因数校正）电路和LLC谐振转换器中具有明显优势。器件内部通过精细的沟道设计减少了寄生电感和电容，有效抑制了开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提高了系统的电磁兼容性。同时，其低栅极电荷（Qg）特性减少了驱动电路的功耗，使得即使在高频开关条件下也能保持较低的总损耗。该MOSFET具备优异的热稳定性，得益于TO-247封装的大面积金属背板，能够实现高效的散热管理，延长器件寿命。此外，RF15N2R0B500CT经过严格的老化测试和可靠性验证，能够在高温、高湿及高电压应力下长期稳定运行。其内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，减少了续流过程中的能量损耗，尤其适合在桥式电路和逆变器中使用。为了提升系统鲁棒性，该器件还具备一定的雪崩能量承受能力，在突发过压或负载突变情况下可避免立即失效，为保护电路争取响应时间。
　　从制造工艺上看，RF15N2R0B500CT基于罗姆成熟的硅基功率工艺平台，采用了多层光刻和精确掺杂控制技术，确保了器件参数的高度一致性与良品率。其栅氧层经过特殊处理，增强了抗静电（ESD）能力和长期可靠性，符合工业级应用的安全标准。器件还支持并联使用，由于其正温度系数的导通电阻特性，多个MOSFET并联时能自然实现电流均衡，避免局部过热问题。这一特性使其非常适合大功率电源系统中的模块化设计。另外，该器件符合RoHS环保要求，不含铅和其他有害物质，适用于全球范围内的绿色电子产品设计。总体而言，RF15N2R0B500CT是一款高性能、高可靠性的中压大电流MOSFET，兼顾了效率、成本与耐用性，是现代高效电源系统中的理想选择之一。

RF15N2R0B500CT广泛应用于各类中高功率电力电子系统中。其主要应用场景包括工业用开关电源（SMPS），尤其是在AC-DC整流后的主开关管位置，用于构建连续导通模式（CCM）或临界导通模式（CrM）的升压PFC电路，以提高电网侧的功率因数并降低谐波失真。此外，该器件也常用于太阳能光伏逆变器的DC-AC转换级，作为H桥或全桥拓扑中的开关元件，因其低导通损耗和高耐压能力，有助于提升整体转换效率并降低系统温升。在电动汽车充电设备（EV charger）和储能系统（ESS）中，RF15N2R0B500CT可用于直流母线侧的斩波或隔离型DC-DC变换器，满足高效率和高可靠性的需求。在电机驱动领域，特别是工业伺服驱动器和变频器中，该MOSFET可作为半桥或全桥结构的开关管，实现对交流或直流电机的精准控制。同时，由于其良好的动态响应特性，也适用于高频感应加热设备、UPS不间断电源以及电信电源模块等对效率和体积要求较高的场合。在这些应用中，RF15N2R0B500CT不仅能承受反复的开关应力，还能在宽温度范围内保持稳定的电气性能，确保系统长时间无故障运行。此外，该器件还可用于LED路灯电源、高端服务器电源和工业自动化控制系统中的辅助电源单元，展现出广泛的适用性和强大的环境适应能力。

RF20N2R0B500CT
　　RF15N2R0B500TR
　　SPW47N50C3
　　IXFH15N50P
　　STL160N5F6