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MM3462ANREH 发布时间 时间:2025/5/13 9:14:15 查看 阅读:3

MM3462ANREH是一款高性能的功率MOSFET晶体管,专为高效率、高频开关应用设计。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适合用于DC-DC转换器、开关电源、电机驱动等应用领域。
  该型号属于沟槽型MOSFET系列,能够显著降低传导损耗,同时提供优异的热性能和电气性能。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:38A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:49nC
  开关频率:高达500kHz
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

MM3462ANREH具备以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少功率损耗,提高系统效率。
  2. 高电流处理能力,支持大功率应用。
  3. 快速开关速度,减少开关损耗并支持高频操作。
  4. 强化的热性能,能够在高温环境下保持稳定运行。
  5. 提供ESD保护,增强器件的抗静电能力。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅封装。

应用

这款MOSFET适用于多种电力电子设备,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动与控制
  4. 汽车电子系统中的负载切换
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块
  6. 充电器及适配器设计
  其高效能和可靠性使其成为上述领域的理想选择。

替代型号

IRF3205, FDP5800, STP55NF06L

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