S5007是一款常用的N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于电源管理、开关电路以及功率放大器等电子电路中。该器件具有良好的导通特性和较高的开关速度,适用于中低功率应用领域。S5007通常采用TO-92或SOT-23等封装形式,适合在各种电子设备中使用。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏极电流(ID):最大100mA
漏极-源极击穿电压(VDS):60V
栅极-源极电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):约3Ω
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:TO-92、SOT-23(根据制造商不同可能略有差异)
S5007作为一款N沟道MOSFET,具备多项优良特性。其漏极-源极击穿电压达到60V,使其能够在较高的电压环境下稳定工作。栅极-源极电压允许±20V,提高了栅极控制的灵活性。
在导通状态下,S5007的导通电阻约为3Ω,虽然相对较高,但在低电流应用中仍然可以接受,并且有助于简化驱动电路的设计。该器件的漏极电流最大为100mA,适用于低功率开关控制和信号处理应用。
此外,S5007具备良好的热稳定性,可在-55°C至+150°C的温度范围内工作,适用于工业级和消费级电子设备。常见的封装形式包括TO-92和SOT-23,这些封装体积小、便于安装,适合用于PCB板上的紧凑布局。
该MOSFET的开关速度快,适合用于高频开关电路,同时具备一定的抗干扰能力,适用于各种数字和模拟混合电路。
S5007常用于以下应用场景:
1. 电源管理电路中的低功率开关控制;
2. LED驱动电路中的电流调节和开关控制;
3. 信号路由和模拟开关电路;
4. 小型电机驱动电路;
5. 各类消费电子产品中的低功耗控制电路;
6. 工业控制系统中的传感器信号处理与开关控制。
2N7000, 2N7002, BSS138