类型：NPN晶体管
　　集电极-发射极电压（Vceo）：30V
　　集电极-基极电压（Vcbo）：30V
　　发射极-基极电压（Vebo）：5V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-65°C ~ +150°C
　　电流增益（hFE）：110 @ Ic=2mA, Vce=5V（最小值）
　　过渡频率（fT）：100MHz

BC857B(3F)晶体管具有多项优良的电气特性，适用于广泛的模拟和数字电路应用。
　　首先，其较高的过渡频率（fT）达到100MHz，使得该晶体管在高频放大电路中表现出色，适合用于射频（RF）和音频放大器的设计。
　　其次，该晶体管的电流增益（hFE）在典型工作条件下可达到110以上，确保了良好的信号放大能力，并且在不同温度和电流条件下保持稳定。
　　此外，BC857B(3F)采用小型SOT-23封装，体积小、重量轻，便于在高密度PCB布局中使用，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
　　该晶体管的集电极-发射极饱和电压（Vce(sat)）较低，在开关应用中可以减少功率损耗，提高能效。
　　最后，其宽广的工作温度范围（-55°C至+150°C）使其能够在各种恶劣环境下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子等对可靠性要求较高的场合。

BC857B(3F) 主要应用于以下类型的电路中：
　　1. 小信号放大电路：如音频前置放大器、射频信号放大器等，利用其高增益和高频响应特性增强微弱信号。
　　2. 开关电路：作为低功耗开关元件，广泛用于数字电路、逻辑门电路以及驱动LED、继电器等负载。
　　3. 电压调节和稳压电路：用于构建简单的线性稳压器或作为温度补偿电路的一部分。
　　4. 工业自动化控制：如传感器信号处理、接口电路等，适用于各种工业设备和控制系统中。
　　5. 消费类电子产品：例如便携式音响、无线通信设备、遥控器等，得益于其小型封装和优异性能。

BC847B, BC857C, 2N3904, PN2222