RRE02VS4S 时间：2025/11/8 8:26:39 阅读：12

RRE02VS4S是一款由罗姆（ROHM）半导体公司生产的表面贴装肖特基势垒二极管（SBD），采用紧凑型双二极管结构，专为高效率、小尺寸电源应用设计。该器件集成两个独立的肖特基二极管，采用共阴极配置，即两个阳极各自独立，而阴极相连，这种结构常用于输出整流电路中，如DC-DC转换器、同步整流替代方案以及电池供电设备中的防反接和电压隔离。RRE02VS4S属于ROHM的“VB1系列”或类似小型化功率二极管产品线，主打低正向压降、快速开关响应和优异的热稳定性。其封装形式为VS-4S，是一种超小型塑料封装，尺寸通常与SOD-323或SC-75等标准封装兼容，适合高密度PCB布局。该器件广泛应用于便携式电子设备、智能手机、平板电脑、无线耳机、可穿戴设备以及各类消费类电子产品中，在有限空间内实现高效的能量转换与管理。由于其低功耗特性，也适用于对能效要求较高的绿色能源系统和节能型电源模块。

参数

类型：双肖特基势垒二极管
　　配置：共阴极
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：20V
　　最大直流反向电压（VR）：20V
　　平均整流电流（IO）：200mA
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：1.2A（8.3ms单半波）
　　最大正向压降（VF）：420mV（@ IF=100mA, 25°C）
　　最大反向漏电流（IR）：100μA（@ VR=20V, 25°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　封装/包装：VS-4S（类似SOD-323F）
　　安装类型：表面贴装（SMT）

特性

RRE02VS4S具备出色的电学性能和可靠性，其核心优势在于低正向导通压降，典型值仅为420mV（在100mA条件下），显著低于传统PN结二极管，从而大幅降低导通损耗，提高整体电源效率。这一特性使其特别适用于低压大电流的DC-DC变换器输出级整流，尤其是在1.8V、3.3V或5V等常见供电轨中表现优异。得益于肖特基势垒结构，该器件具有极快的反向恢复时间（trr < 5ns），几乎无反向恢复电荷，避免了因开关瞬态引起的能量损耗和电磁干扰（EMI）问题，这对于高频开关电源（如升压、降压、反激式转换器）至关重要。此外，共阴极双二极管设计允许在同一封装内完成两路独立整流功能，节省PCB面积并简化布局布线，提升系统集成度。
　　该器件采用高可靠性的金硅合金接触工艺和先进的钝化技术，确保长期运行下的稳定性和耐久性。VS-4S封装具有良好的热传导性能和机械强度，支持自动化贴片生产，符合RoHS环保标准及无卤素要求。器件的工作结温可达+150°C，具备优良的高温工作能力，适用于严苛环境下的应用。同时，其反向漏电流控制在较低水平（典型100μA @ 20V），在待机或轻载状态下有助于减少静态功耗，延长电池寿命。综合来看，RRE02VS4S在小型化、高效能与高可靠性之间实现了良好平衡，是现代便携式电子设备中理想的功率整流解决方案。

应用

RRE02VS4S主要用于需要小型化、高效率整流功能的低电压直流电源系统。典型应用场景包括智能手机、平板电脑、智能手表和其他可穿戴设备中的DC-DC转换器输出整流，用于替代传统同步整流MOSFET以简化设计或降低成本。它也常用于USB供电路径管理、电池充放电回路中的防倒灌二极管、LDO稳压器的输入保护以及多电源选择开关电路中的隔离元件。在便携式医疗设备、无线传感器节点、蓝牙音频模块和小型物联网终端中，该器件凭借其微小封装和低功耗特性，成为优化空间利用和延长续航时间的关键组件。此外，RRE02VS4S还可应用于AC-DC适配器次级侧整流、LED驱动电路以及各种消费类电子产品中的电压钳位与瞬态抑制电路。由于其快速响应能力和低噪声特性，也可用于信号整流和高频检波场合。总体而言，凡是在空间受限且追求高能效的低压电源管理领域，RRE02VS4S都具备广泛的应用价值。