时间：2025/8/6 13:54:03
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K3937 是一款由韩国Kec Corporation公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效能功率转换和控制的电子设备中。这款MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力的特点，使其在开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等应用中表现出色。K3937采用TO-220或TO-263（D2PAK）等封装形式，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds)：900V
栅极-源极电压(Vgs)：±30V
漏极连续电流(Id)：4.5A
导通电阻(Rds(on))：约2.0Ω（最大值）
功率耗散(Pd)：50W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220、TO-263
K3937具有多个关键特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，它的漏极-源极电压高达900V，这意味着它可以应用于高压环境，如高功率开关电源和AC/DC转换器。其次，K3937的导通电阻较低，通常在2.0Ω以下，从而减少了导通损耗并提高了系统效率。此外，该器件的栅极-源极电压为±30V，提供了较好的栅极控制稳定性，避免因过高的栅极电压而损坏器件。K3937的最大漏极连续电流为4.5A，适用于中等功率应用。该MOSFET的功率耗散能力为50W，结合合适的散热器使用，可以有效维持器件在高负载条件下的稳定性。此外，其工作温度范围宽达-55°C至150°C，适用于各种工业和恶劣环境下的应用。由于其TO-220和TO-263封装形式，K3937在PCB上的安装和散热设计相对简单，非常适合需要高效功率控制的设计方案。
K3937 适用于多种功率电子应用，包括开关电源（SMPS）、AC/DC和DC/DC转换器、电机驱动器、LED驱动器、电池充电器、负载开关以及工业控制电路。其高压、中等电流和低导通电阻的特性使其成为高效能功率转换和控制的理想选择。
K2645, K2647, IRF840, IRF740
