时间：2025/8/15 10:09:41
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UJ4C075060K4S 是一款由 UnitedSiC（United Silicon Carbide）推出的碳化硅（SiC）功率场效应晶体管（MOSFET）。这款器件采用了先进的碳化硅技术，具有高效、高可靠性和低导通电阻的特点。该型号专为高功率、高频应用设计，适用于电力电子系统如电源转换器、逆变器以及电机驱动系统等。与传统的硅基MOSFET相比，UJ4C075060K4S 具有更高的热导率和更小的开关损耗，能够在更高温度下稳定运行，从而提升了系统的整体能效。
类型：碳化硅功率MOSFET
最大漏源电压（VDS）：600V
最大漏极电流（ID）：75A
导通电阻（RDS(on)）：18mΩ
栅极电压范围：-20V ~ +25V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-247-4L
功耗（PD）：300W
输入电容（Ciss）：3800pF
输出电容（Coss）：800pF
反向恢复时间（trr）：25ns
短路耐受能力：有
UJ4C075060K4S 是基于碳化硅材料的功率MOSFET，具有多项显著优于传统硅基MOSFET的特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）为18mΩ，使得在高电流工作时导通损耗大大降低，提高了整体系统的效率。其次，碳化硅材料的高热导率和优异的热稳定性，使该器件可以在高温环境下稳定运行，工作温度范围达到-55°C至+175°C，从而减少了散热系统的负担，适用于高功率密度的设计。此外，该器件的开关损耗非常低，特别是在高频应用中表现优异，能够有效提升电源转换效率并减小磁性元件的体积。
另一个关键特性是其具备良好的短路耐受能力，能够在异常工况下提供更高的可靠性。同时，其反向恢复时间（trr）仅为25ns，显著降低了桥式拓扑结构中的交叉导通损耗，并减少了电磁干扰（EMI）问题。该器件采用TO-247-4L封装，提供了额外的Kelvin源极引脚，有助于降低栅极振荡，提高开关性能。
综上所述，UJ4C075060K4S 凭借其高效率、低损耗、高耐温能力和高频性能，非常适合用于现代高效电力电子系统。
UJ4C075060K4S 主要应用于需要高效、高功率密度和高频率特性的电力电子系统中。例如，该器件广泛用于工业电源、服务器电源、电信电源、光伏逆变器、储能系统（ESS）、电动汽车充电器、车载充电机（OBC）以及电机驱动系统等。在这些应用中，其低导通电阻和快速开关特性能够显著提升系统效率，降低散热需求，从而实现更紧凑和可靠的设计。此外，其优异的热性能使其在高温环境下仍能稳定运行，适用于恶劣工况下的工业和车载应用。
UF3SC065060K3S、UJ3C075060K3S、SiC MOSFET 18mΩ 600V TO-247-4L
