时间：2025/9/14 9:43:17
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PSMN1R8-30MLHX 是由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的Trench技术，优化了导通电阻（RDS(on)）和开关性能。该器件设计用于高效率和高功率密度的应用，如DC-DC转换器、电源管理模块和电机控制电路。PSMN1R8-30MLHX 采用无铅环保封装，符合RoHS和REACH标准，适用于各种工业和汽车电子系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
最大连续漏极电流（ID）：160A（在Tc=25°C时）
导通电阻（RDS(on)）：1.8mΩ（最大值，VGS=10V时）
功率耗散（PD）：100W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：PowerSO-10
PSMN1R8-30MLHX 具有极低的导通电阻（RDS(on)），在1.8mΩ以下，确保在高电流应用中实现最小的功率损耗，提高系统效率。该MOSFET采用了先进的Trench技术，优化了导通和开关性能之间的平衡，使其在高频开关应用中表现出色。
该器件的栅极驱动电压范围为±20V，支持标准和逻辑级驱动，兼容多种控制电路。其高电流承载能力和良好的热性能使其能够在高负载条件下稳定运行。此外，PSMN1R8-30MLHX 的PowerSO-10封装不仅提供了优良的散热性能，还具有较小的PCB占用空间，适合高密度电路设计。
这款MOSFET具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性，能够在恶劣的工作环境下保持稳定。其设计还减少了开关损耗和导通损耗，使得在电源转换器和电机驱动等应用中能够实现更高的能效。此外，PSMN1R8-30MLHX 还具备较低的输入电容（Ciss）和反馈电容（Crss），有助于提高开关速度并降低驱动损耗。
PSMN1R8-30MLHX 适用于多种高功率和高频应用，特别是在需要高效能和高可靠性的场合。它广泛用于DC-DC转换器、同步整流器、电源管理系统、电机控制、负载开关和电池供电设备等应用场景。该器件的低导通电阻和高电流能力使其成为高性能电源转换和电机控制的理想选择。
在汽车电子领域，PSMN1R8-30MLHX 可用于车载电源系统、电动助力转向系统（EPS）、车载充电器（OBC）和电池管理系统（BMS）。由于其具备优异的热性能和抗干扰能力，也适用于高振动和高温环境下的工业自动化控制设备和电源模块。
此外，该MOSFET还可用于服务器和通信设备的电源管理模块中，帮助提高能效和降低系统功耗。
PSMN1R8-30PLH、PSMN0R9-30MLH、IPD180N06S4-03、SiR182DP
