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RLZTE-1110B 发布时间 时间:2025/12/25 11:40:40 查看 阅读:19

RLZTE-1110B是一款由ROHM Semiconductor生产的表面贴装齐纳二极管,属于RLZTE系列。该系列二极管专为高精度电压参考和稳压应用而设计,广泛应用于便携式电子设备、电源管理电路以及信号调理电路中。RLZTE-1110B的标称齐纳电压为10V,在测试电流条件下具有较低的动态阻抗和良好的电压稳定性,适合需要稳定参考电压的场景。该器件采用小型SOD-523(SC-79)封装,尺寸紧凑,适用于空间受限的高密度PCB布局。由于其低功耗特性和快速响应能力,RLZTE-1110B在电池供电系统和低功耗微控制器单元中表现出色。此外,该齐纳二极管具备良好的温度系数和长期稳定性,能够在各种环境条件下保持可靠的性能表现。

参数

类型:齐纳二极管
  功率:200mW
  标称齐纳电压:10V
  测试电流:5mA
  最大齐纳阻抗:45Ω
  容差:±2%
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装/外壳:SOD-523(SC-79)
  制造商:ROHM Semiconductor

特性

RLZTE-1110B齐纳二极管具备多项优异特性,使其在精密稳压与电压参考应用中表现突出。首先,该器件在标称电压10V下具有±2%的严格容差控制,确保了输出电压的高度一致性,适用于对电压精度要求较高的模拟电路和数据转换系统。其次,其在5mA测试电流下的最大齐纳阻抗仅为45Ω,意味着在负载变化时能够维持较为稳定的电压输出,有效抑制纹波和噪声干扰。
  该器件采用ROHM先进的半导体制造工艺,具备优良的温度稳定性。其温度系数经过优化设计,在宽温度范围内(-55°C至+150°C)仍能保持稳定的击穿电压特性,避免因环境温度波动导致的性能漂移。这对于工业级和汽车级应用尤为重要,例如传感器信号调理电路或远程监测设备中的基准源。
  RLZTE-1110B的SOD-523封装不仅体积小巧(典型尺寸约1.6mm x 1.2mm x 0.85mm),而且热性能良好,支持回流焊工艺,便于自动化贴片生产。这种封装形式有助于提高PCB的空间利用率,特别适用于智能手机、可穿戴设备和其他微型化电子产品。此外,200mW的额定功率使其能够在有限功耗条件下提供可靠的稳压功能,兼顾效率与安全性。
  该齐纳二极管还具备出色的长期稳定性和抗老化能力,即使在持续工作多年后也能保持初始电气参数不变。这一特性源于ROHM严格的材料筛选和封装密封技术,防止湿气和污染物侵入芯片内部。同时,器件符合RoHS环保标准,并通过AEC-Q101等可靠性认证(视具体批次而定),可用于对质量和可靠性要求严苛的应用场景。

应用

RLZTE-1110B广泛应用于多种电子系统中,作为精密电压参考源使用。常见用途包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和智能手表中的电源监控电路,用于为ADC或DAC提供稳定的参考电压。在工业控制系统中,它可用于PLC模块、传感器接口电路和仪表放大器的偏置网络,以确保测量精度不受电源波动影响。
  此外,该器件也常被用于开关电源(SMPS)反馈回路中,配合误差放大器实现输出电压的精确调节。在电池管理系统(BMS)中,RLZTE-1110B可用于过压保护电路的阈值设定元件,提升系统的安全性和可靠性。其小型化封装也使其适用于高频信号线路中的瞬态电压抑制辅助电路,起到电平钳位作用。
  在汽车电子领域,尽管需确认是否满足车规等级,但类似型号常用于车载信息娱乐系统、车身控制模块和DC-DC转换器中,提供稳定的基准电压。科研仪器和医疗设备中亦有应用,因其高稳定性和低噪声特性,适合用于精密测量前端电路。总之,凡是对电压稳定性、尺寸限制和功耗敏感的应用场合,RLZTE-1110B都是一个可靠的选择。

替代型号

MMBZ5240BLT1G
  BZT52C10-S30-A
  PMZ10VAL

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RLZTE-1110B参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)9.7V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电200nA @ 7V
  • 容差±3%
  • 功率 - 最大500mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)8 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOD-80C
  • 供应商设备封装LLDS
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-