时间：2025/5/28 10:38:46
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GA1210A561KBAAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等应用领域。该器件采用先进的制造工艺，在导通电阻、开关速度和耐压性能等方面表现出色。其封装形式为 TO-247，具有良好的散热性能，适合高功率应用场景。
这款功率 MOSFET 支持增强型操作（Enhancement Mode），通过栅极电压控制实现导通与关断。同时，其低导通电阻的设计可以有效降低功耗，提升系统的整体效率。
型号：GA1210A561KBAAR31G
类型：N-Channel Power MOSFET
最大漏源电压(V_DS)：1200V
最大栅源电压(V_GS)：±20V
连续漏极电流(I_D)：56A
脉冲漏极电流(I_PULSE)：112A
导通电阻(R_DS(on))：3.5mΩ（典型值，V_GS=15V时）
总栅极电荷(Q_G)：80nC
输入电容(Ciss)：3500pF
输出电容(Coss)：90pF
开关时间：开启延迟时间(t_d(on))=65ns，上升时间(t_r)=25ns，关断延迟时间(t_d(off))=85ns，下降时间(t_f)=30ns
工作结温范围(T_J)：-55℃至+175℃
GA1210A561KBAAR31G 的主要特性包括：
1. 高耐压能力，能够承受高达 1200V 的漏源电压，适用于高压环境下的各种应用。
2. 低导通电阻，典型值仅为 3.5mΩ，有助于减少导通损耗，提高系统效率。
3. 快速开关性能，总栅极电荷较低（80nC），支持高频开关操作。
4. 大电流承载能力，连续漏极电流可达 56A，满足高功率需求。
5. 采用 TO-247 封装，具备优秀的散热性能，适合长时间稳定运行。
6. 宽工作温度范围，能够在 -55℃ 至 +175℃ 的极端环境下可靠工作。
7. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
GA1210A561KBAAR31G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计，用于提高转换效率和稳定性。
2. 电机驱动电路，支持高效的大电流输出控制。
3. 工业自动化设备中的功率转换模块。
4. 新能源领域，例如太阳能逆变器和电动汽车牵引逆变器。
5. DC-DC 转换器和 PFC（功率因数校正）电路。
6. 高压负载切换和保护电路。
7. 其他需要高电压、大电流处理能力的应用场景。
GA1210A561KBAAR31G-A, IRFP260N, STW80NM120K5
