类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：7A
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　导通电阻（Rds(on)）：约1.2Ω（最大）
　　功率耗散（Pd）：83W
　　封装形式：TO-220、DPAK等

7N60/CJP07N60具备多项优良特性，使其适用于多种功率电子系统。
　　首先，该MOSFET具有600V的高漏源击穿电压，适用于中高功率开关应用，如AC-DC电源适配器、LED驱动器和变频器。其7A的连续漏极电流能力能够支持较大负载，同时导通电阻较低，有助于减少导通损耗，提高整体效率。
　　其次，该器件采用先进的平面工艺制造，具有良好的热稳定性和高可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。此外，±30V的栅极电压容限增强了其在复杂电磁环境中的抗干扰能力，降低了栅极驱动电路设计的复杂度。
　　再者，7N60/CJP07N60的封装形式多样，包括TO-220和DPAK，适用于不同的PCB布局需求。TO-220封装便于安装散热片，适用于高功率应用场景；而DPAK则适合表面贴装工艺，提高了自动化生产的效率。
　　最后，该MOSFET在价格上具有竞争力，适合大批量应用，广泛用于消费电子、工业控制和照明设备中。

7N60/CJP07N60主要应用于以下领域：
　　1. **开关电源**：如AC-DC适配器、PC电源、充电器等，作为主开关管使用，提高电源转换效率并降低损耗。
　　2. **LED照明驱动**：用于恒流驱动电路，实现节能和稳定输出。
　　3. **DC-DC转换器**：在升压或降压电路中用作功率开关，适用于车载电子、便携设备等。
　　4. **电机控制**：用于H桥驱动或风扇控制，实现高效调速与节能。
　　5. **家用电器**：如电磁炉、电饭煲、洗衣机等，作为功率控制元件使用。
　　6. **工业自动化**：如PLC、继电器驱动、传感器供电等场合，实现高可靠性的开关控制。

FQP7N60C, STP7NK60Z, 2SK2143, 2SK2545, 2SK1317