时间：2025/9/14 0:51:54
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PMFPB8040XP 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的高压技术制造，能够在高电压和高电流条件下稳定工作，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制以及工业自动化等场景。PMFPB8040XP 具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和快速开关特性，有助于提高系统效率并降低能耗。该 MOSFET 采用 PowerFLAT 5x6 封装，具有良好的热性能和空间节省优势。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：180A（在Tc=25°C）
最大漏-源电压（VDS）：80V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大 2.4 mΩ（在VGS=10V）
最大功率耗散（PD）：200W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：PowerFLAT 5x6
PMFPB8040XP 的核心优势在于其低导通电阻和高电流承载能力，使其在高功率应用中表现出色。其导通电阻仅为 2.4 mΩ，显著降低了导通损耗，从而提高了整体系统效率。此外，该器件具有高达 80V 的漏-源击穿电压，能够承受较高的电压应力，适用于多种 DC-DC 转换器和电机驱动电路。PowerFLAT 5x6 封装不仅提供了良好的热管理性能，还支持表面贴装技术（SMT），简化了 PCB 布局和制造流程。PMFPB8040XP 的栅极电荷（Qg）较低，有助于实现更快的开关速度，从而减少开关损耗。该器件还具备良好的雪崩能量耐受能力，能够在极端工作条件下保持稳定。此外，其符合 RoHS 标准和无卤素要求，满足现代电子产品的环保需求。
PMFPB8040XP 广泛应用于多种高功率电子产品中，例如服务器和电信设备的电源系统、DC-DC 转换器、电池管理系统、电机控制器以及工业自动化设备。其高效率和低损耗特性使其成为电动汽车充电系统、太阳能逆变器和不间断电源（UPS）中的理想选择。此外，该 MOSFET 还适用于负载开关、功率因数校正（PFC）电路以及各种高电流开关电源（SMPS）设计。
STP180N8F7AG, IRFP4468PBF, IPB080N08N3G
