时间：2025/8/2 7:30:59
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DMN4034SSS-13 是一款由 Diodes 公司（Diodes Incorporated）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于高效率电源管理和开关应用。该器件采用先进的沟槽工艺，提供较低的导通电阻（RDS(on)）和快速的开关性能，适用于电池供电设备、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等应用。该 MOSFET 封装为 SOT26（SOT-26），是一种小型表面贴装封装，适合空间受限的设计。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：4.1A
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻 RDS(on)：@VGS=10V 时最大 43mΩ；@VGS=4.5V 时最大 60mΩ
功耗（PD）：1.5W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT26 (SOT-26)
DMN4034SSS-13 的核心优势在于其低导通电阻和高开关速度，这使其在电源转换和负载管理应用中表现出色。由于采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，该器件能够在较低的 VGS 电压下实现高效的导通性能，适用于电池供电系统中对效率要求较高的场景。
此外，DMN4034SSS-13 的 SOT26 小型封装不仅节省空间，而且具备良好的热性能，能够在高密度 PCB 设计中稳定工作。其 ±20V 的栅极电压耐受能力也提升了器件在高噪声环境下的可靠性。
该 MOSFET 的快速开关特性降低了开关损耗，有助于提高整体系统效率，特别是在高频开关应用如 DC-DC 转换器、同步整流器和马达驱动器中表现优异。
该器件广泛应用于便携式电子产品、电源管理模块、电池供电系统、DC-DC 转换器、LED 驱动器、负载开关、马达控制电路以及工业自动化设备中。由于其优异的导通特性和小型封装，特别适用于对空间和效率有严格要求的设计。
SI2302DS, 2N7002, DMN4034SSS-13, FDN340P, BSS138
