型号：B43858C5686M000
　　制造商：TDK
　　品牌：EPCOS
　　电容值：5.6 pF
　　容差：±0.1 pF
　　额定电压：50 V DC
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度系数：C0G（NP0）
　　封装尺寸：0402（1.0 x 0.5 mm）
　　介质材料：陶瓷（C0G/NP0）
　　产品类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　等效串联电阻（ESR）：典型值低于 10 mΩ
　　等效串联电感（ESL）：典型值约 0.2 nH
　　Q值：≥ 1000 @ 1 GHz
　　直流电阻（DCR）：无限（理想绝缘）
　　自谐振频率（SRF）：高于 6 GHz
　　老化率：≤ ±0.1% / decade hour
　　符合标准：RoHS, AEC-Q200（适用于汽车级应用）

B43858C5686M000 多层陶瓷电容器具备卓越的电气稳定性和高频响应能力，其核心特性源于采用C0G（也称为NP0）类温度补偿型陶瓷介质材料。这种材料在整个工作温度范围内（-55°C至+125°C）表现出极小的电容变化，通常小于±30ppm/°C，确保了在极端环境下的电性能一致性。这一特性使其非常适合用于对频率稳定性要求极高的振荡器、滤波器和匹配网络中。由于C0G材质本质上是非铁电性的，因此该电容器不随电压、频率或时间发生明显的容量漂移，避免了因非线性效应引起的信号失真问题。
　　该器件具有极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），这使得它在GHz级别的高频应用中仍能保持高效的能量传输和最小的功率损耗。其自谐振频率（SRF）可高达6 GHz以上，在此频率之前始终呈现容性阻抗行为，适用于射频放大器、天线调谐模块和毫米波前端电路中的旁路与去耦设计。同时，高Q值（≥1000 @ 1 GHz）进一步增强了其在窄带滤波和高选择性电路中的表现力。
　　结构方面，B43858C5686M000采用精细的内电极交错叠层技术，结合端电极镍阻挡层和锡镀层，提升了焊接可靠性并防止银离子迁移。0402小型封装不仅节省PCB空间，还能减少寄生效应，适应现代紧凑型电子设备的设计趋势。此外，该电容器通过AEC-Q200汽车级认证，具备优良的抗湿性、抗热冲击能力和机械耐久性，可在振动、高温和湿度交替的恶劣条件下长期稳定运行。整体而言，这款MLCC是高频、高稳定性应用场景下的理想选择。

B43858C5686M000 主要应用于对电容稳定性、高频性能和可靠性有严苛要求的电子系统中。常见使用场景包括无线通信基础设施中的射频前端模块，如基站收发信机、微波回传链路和5G毫米波设备，用于实现阻抗匹配、LC谐振回路构建以及高频滤波功能。在消费类电子产品中，该电容器被广泛用于智能手机、平板电脑和Wi-Fi模块内的RF路径去耦与信号耦合，以确保无线信号的清晰传输和接收灵敏度。
　　在汽车电子领域，得益于其通过AEC-Q200认证，B43858C5686M000可用于车载雷达系统（如77GHz ADAS雷达）、胎压监测系统（TPMS）和远程信息处理单元中，支持高频信号处理和电磁干扰抑制。工业控制和医疗设备中也常将其用于精密传感器接口电路、高频激励源和超声波成像系统的谐振网络，保障信号精度和系统稳定性。
　　此外，该器件适用于测试与测量仪器，例如矢量网络分析仪（VNA）、频谱仪和信号发生器内部的校准电路和参考振荡器部分，因其电容值几乎不受温度、电压和频率影响，能够提供高度可重复的测量结果。在航空航天与国防电子系统中，B43858C5686M000也被用于雷达、电子战设备和卫星通信终端，承担关键的高频耦合与滤波任务。总之，凡是需要在GHz频段内维持高Q值、低损耗和长期稳定性的场合，该电容器都是首选解决方案之一。

C1005C0G1H5R6D