类型: N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds): 500V
　　最大漏极电流(Id): 14A
　　导通电阻(Rds(on)): 0.53Ω
　　最大功耗(Pd): 150W
　　栅极阈值电压(Vgs(th)): 2.5V ~ 4.5V
　　工作温度范围: -55°C ~ +150°C

RLST143A053LVD 具备出色的导通和开关性能，得益于其先进的沟槽式MOSFET技术，能够在高压和高电流环境下保持较低的导通损耗。其导通电阻仅为0.53Ω，有效减少了功率损耗并提高了系统效率。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽（2.5V ~ 4.5V），使其适用于多种栅极驱动电路，便于设计和应用。RLST143A053LVD 的最大漏源电压为500V，漏极电流为14A，能够在高功率负载下稳定运行。其最大功耗为150W，支持较高的功率密度设计，适用于紧凑型电源系统。由于采用了高耐压和低热阻的封装技术，RLST143A053LVD 在高温环境下仍能保持稳定的工作性能，具备良好的热稳定性和可靠性。
　　在开关性能方面，该MOSFET具备快速的开关响应时间，有助于减少开关损耗，提高系统整体效率。其设计还支持在高dv/dt环境中稳定工作，降低了因电压变化率过高而引起的潜在问题。RLST143A053LVD 还具备良好的抗短路能力和过载保护能力，进一步增强了其在严苛工况下的适用性。

RLST143A053LVD 广泛应用于高功率密度电源系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器以及工业自动化控制系统。在开关电源中，该MOSFET能够提供高效的功率转换，满足高效率和小体积的设计需求。在电机驱动领域，RLST143A053LVD 的高电流能力和快速开关特性使其适用于高性能电机控制电路。此外，该器件还适用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电焊设备等需要高可靠性和高功率输出的应用场景。由于其优异的热稳定性和耐久性，RLST143A053LVD 也常用于高温或恶劣环境下的工业设备中。

IXFN14N50、STP14NK50Z、IRFP450、SiHP053N50ED、FDPF450