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H5TQ2G63DFR-H9I 发布时间 时间:2025/9/2 8:06:29 查看 阅读:4

H5TQ2G63DFR-H9I 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高带宽内存解决方案的一部分,广泛用于需要高性能内存的电子设备,如高端图形处理器、游戏机、网络设备和嵌入式系统等。该芯片的具体规格设计旨在满足高数据传输速率和低延迟的需求,适用于对内存性能要求较高的应用场景。

参数

容量:2Gbit
  组织结构:x64
  封装类型:FBGA
  工作温度:-40°C至+85°C
  电源电压:1.2V至1.5V
  接口类型:DDR4
  最大时钟频率:2400MHz
  数据速率:2400Mbps
  CAS延迟:14-14-14
  行地址位数:A0-A15
  列地址位数:A0-A9
  

特性

H5TQ2G63DFR-H9I 具备多项高性能特性,使其在复杂应用场景中表现出色。首先,该DRAM芯片支持高达2400Mbps的数据速率,确保了快速的数据传输能力,这对于处理大量数据的设备至关重要。其x64的组织结构和2Gbit的存储容量,使其能够高效地支持需要大内存带宽的应用。此外,该芯片采用了DDR4接口,提供了更高的带宽效率和更低的功耗,这在高性能计算和节能设计中尤为重要。
  该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,具备较强的环境适应能力,适用于各种工业级和商业级设备。其封装形式为FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array),这种封装技术不仅有助于提高芯片的散热性能,还能减少引脚间的电感效应,从而提升信号完整性。
  从电源管理角度看,H5TQ2G63DFR-H9I 支持1.2V至1.5V的电压范围,能够根据系统需求进行优化,实现节能效果。此外,其CAS延迟为14,支持快速响应和低延迟操作,进一步提升了系统的整体性能。芯片的行地址位数为A0-A15,列地址位数为A0-A9,提供了足够的寻址能力,支持大容量内存的高效管理。

应用

H5TQ2G63DFR-H9I 适用于多种高性能计算和数据密集型应用。首先,它被广泛应用于高端图形处理器(GPU)中,为复杂图形渲染提供所需的高速内存支持。此外,该芯片也常用于游戏主机、数据中心服务器、网络交换设备以及嵌入式计算平台,以满足这些设备对内存带宽和容量的高要求。由于其出色的性能和可靠性,H5TQ2G63DFR-H9I 也被用于工业自动化、医疗成像设备以及高性能计算设备中。
  在网络设备方面,该DRAM芯片能够有效支持高速数据包处理和转发,提升网络吞吐量和响应速度。在嵌入式系统中,H5TQ2G63DFR-H9I 可作为主内存或高速缓存,提高系统运行效率。同时,该芯片的低功耗特性也使其适用于便携式设备和电池供电系统,有助于延长设备的续航时间。

替代型号

H5TQ2G63EFR-H9C, H5TQ2G63DHR-H9C

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