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CPH6613-TL-E 发布时间 时间:2025/9/21 14:25:55 查看 阅读:6

CPH6613-TL-E是一款由Central Semiconductor Corp生产的双极性晶体管(BJT)阵列器件,集成了两个独立的NPN型晶体管。该器件采用小型化表面贴装封装(SOT-26),适用于高密度印刷电路板设计,广泛应用于便携式电子设备、消费类电子产品和工业控制电路中。CPH6613-TL-E的设计注重低功耗和高可靠性,适合在需要紧凑尺寸和高性能的场合使用。该器件具有良好的热稳定性和电气特性,能够在较宽的温度范围内保持稳定的性能表现。其制造工艺符合RoHS环保标准,不含铅等有害物质,适用于现代绿色电子产品制造要求。此外,该器件还具备较高的增益带宽积,适合用于高频信号放大和开关应用。由于其集成双晶体管结构,能够有效减少PCB布局面积,提高系统集成度。

参数

类型:双NPN晶体管阵列
  封装形式:SOT-26
  最大集电极-发射极电压(VCEO):50V
  最大集电极电流(IC):100mA
  直流电流增益(hFE):100 - 400(典型值200)
  过渡频率(fT):200MHz
  最大功耗(PD):300mW
  工作结温范围(Tj):-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  集电极-基极击穿电压(VCBO):70V
  发射极-基极击穿电压(VEBO):6V
  饱和电压(VCE(sat)):0.3V(IC = 10mA, IB = 1mA)

特性

CPH6613-TL-E的特性之一是其高集成度与小型化封装设计,采用SOT-26封装,仅占用极小的PCB空间,非常适合高密度布局的便携式设备,如智能手机、可穿戴设备和无线通信模块。该封装不仅有助于缩小整体产品体积,还能降低寄生电感和电容,提升高频响应性能。器件内部集成两个完全独立的NPN晶体管,彼此之间具有良好的电气隔离,可在多种电路配置中灵活使用,例如差分放大器、推挽输出级或独立的开关控制电路。这种双管结构减少了外部元件数量,简化了设计流程,同时提高了系统的可靠性和一致性。
  另一个显著特性是其优异的高频性能。CPH6613-TL-E的过渡频率(fT)高达200MHz,使其能够在射频前端、小信号放大和高速开关应用中表现出色。这意味着它可以在高频环境下保持较高的电流增益,适用于无线通信中的信号调理和调制解调电路。此外,其低饱和电压(VCE(sat))确保了在开关模式下具有较低的导通损耗,提升了能效,特别适合电池供电设备以延长续航时间。晶体管的直流电流增益(hFE)范围为100至400,典型值为200,保证了稳定的放大能力,减少了因增益波动带来的电路调试难度。
  该器件还具备良好的热稳定性和宽工作温度范围(-55°C至+150°C),可在恶劣环境条件下可靠运行,适用于工业控制、汽车电子和户外通信设备等应用场景。其最大集电极电流为100mA,最大集电极-发射极电压为50V,满足大多数低压模拟和数字电路的需求。CPH6613-TL-E符合RoHS指令要求,采用无铅焊接工艺,支持现代环保制造标准。此外,其高击穿电压特性(如VCBO为70V)提供了额外的安全裕度,防止因瞬态电压尖峰导致器件损坏。总体而言,CPH6613-TL-E凭借其小型化、高性能和高可靠性,在现代电子系统中扮演着重要角色。

应用

CPH6613-TL-E广泛应用于各类消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和智能手表等便携式设备,主要用于音频信号放大、电源管理电路中的开关控制以及传感器信号调理。其小型SOT-26封装非常适合空间受限的应用场景。在无线通信领域,该器件可用于射频前端的小信号放大和混频电路,因其200MHz的高过渡频率能够有效处理高频信号。此外,它也常用于LCD背光驱动电路或LED指示灯的开关控制,利用其低饱和电压实现高效能切换。
  在工业控制和自动化系统中,CPH6613-TL-E可用于接口电路中的电平转换、继电器驱动或光电耦合器的输出级放大。其双晶体管结构允许构建推挽输出或达林顿对,以增强驱动能力。在计算机外围设备中,如打印机、扫描仪和USB集线器中,该器件可用于数据信号的缓冲和整形。汽车电子系统中,虽然其电压和电流等级不适用于大功率负载驱动,但可用于车内信息娱乐系统的低功率信号处理电路。
  此外,教育实验平台和原型开发板也常采用此类通用双极性晶体管阵列,便于学生和工程师进行模拟电路实验和功能验证。由于其参数一致性好且易于获取,CPH6613-TL-E也成为许多标准参考设计中的推荐元件之一。总的来说,该器件适用于需要小型化、低功耗和中等频率响应的各种模拟与数字混合信号电路。

替代型号

MMBT3904DW, FMMT617, BC847BD, KSC1845D

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CPH6613-TL-E参数

  • 典型关断延迟时间37 ns
  • 典型接通延迟时间10 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs4 nC V @ 4
  • 典型输入电容值@Vds270 pF V @ 10
  • 安装类型表面贴装
  • 宽度1.6mm
  • 封装类型CPH 6
  • 尺寸2.9 x 1.6 x 0.9mm
  • 引脚数目6
  • 最大功率耗散0.9 W
  • 最大栅源电压±12 V
  • 最大漏源电压20 V
  • 最大漏源电阻值198 m
  • 最大连续漏极电流2.5 A
  • 最高工作温度+150 °C
  • 每片芯片元件数目2
  • 类别通用
  • 通道模式增强
  • 通道类型N
  • 配置
  • 长度2.9mm
  • 高度0.9mm