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W97AH6KBVX2E TR 发布时间 时间:2025/8/21 2:18:48 查看 阅读:2

W97AH6KBVX2E TR 是由 Winbond 公司生产的一款 DDR3 SDRAM 存储芯片。这款芯片广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备和消费类电子产品中,以提供高速数据存储和处理能力。W97AH6KBVX2E TR 是一种高密度、低功耗的内存解决方案,适用于需要高性能和稳定性的现代电子设备。

参数

容量:1GB(128M x 8)
  电压:2.3V - 3.6V
  封装类型:TSOP
  接口:SPI
  工作温度:-40°C 至 +85°C

特性

W97AH6KBVX2E TR 是一款具有高性能和低功耗特性的串行闪存芯片,广泛应用于各种嵌入式系统和消费类电子产品中。其主要特性包括高存储容量、灵活的电压范围、紧凑的封装设计以及宽工作温度范围。
  首先,W97AH6KBVX2E TR 提供了 1GB 的存储容量,能够满足多种应用对数据存储的需求。其电压范围为 2.3V 至 3.6V,使得该芯片可以在不同的电源条件下稳定工作,适用于多种供电环境。  此外,W97AH6KBVX2E TR 采用 TSOP(Thin Small Outline Package)封装形式,具有较小的体积和良好的散热性能,适用于空间受限的应用场景。同时,该芯片支持 -40°C 至 +85°C 的宽工作温度范围,能够在恶劣的环境条件下保持稳定运行,适用于工业级和汽车电子应用。

应用

W97AH6KBVX2E TR 主要应用于需要大容量存储和低功耗特性的设备,如智能家电、工业控制系统、通信设备、医疗仪器以及车载电子系统。此外,该芯片也常用于固件存储、数据日志记录以及代码存储等应用场景。

替代型号

W25Q128JV TR, MX25L12835E TR, SST25VF016B TR

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W97AH6KBVX2E TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - 移动 LPDDR2
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织64M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电1.14V ~ 1.95V
  • 工作温度-25°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳134-VFBGA
  • 供应商器件封装134-VFBGA(10x11.5)