时间：2025/9/15 3:05:04
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PHP28NQ15T是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高电流、高效率应用而设计，适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及电池供电系统等场景。PHP28NQ15T采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗并提高了系统效率。此外，该MOSFET封装为PowerFLAT 5x6，具有良好的热性能和空间利用率，适合在紧凑型设计中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：20V
连续漏极电流（ID）：150A（在Tc=25℃）
导通电阻（RDS(on)）：3.2mΩ（最大值，典型值更低）
功率耗散（PD）：150W
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装：PowerFLAT 5x6
PHP28NQ15T是一款高性能N沟道MOSFET，具有出色的电气和热性能。其主要特性包括极低的导通电阻（RDS(on)），有助于降低导通损耗并提高整体效率，非常适合用于高电流应用。该器件采用先进的封装技术，具备良好的散热性能，能够在高功率密度环境下稳定工作。此外，PHP28NQ15T的栅极驱动电压范围较宽，支持在多种电源管理系统中灵活使用。
这款MOSFET具有高雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定运行，提高系统的可靠性和耐用性。其封装设计优化了PCB布局空间，适合用于需要紧凑设计的高密度电子设备中。PHP28NQ15T还具备快速开关特性，能够减少开关损耗，适用于高频工作的电源转换器和马达控制电路。
PHP28NQ15T广泛应用于各种电力电子系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电机控制模块、工业自动化设备以及车载电子系统等。由于其高电流承载能力和低导通电阻，该器件特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源管理场合。例如，在电动汽车（EV）或混合动力汽车（HEV）的电池管理系统中，PHP28NQ15T可用于高侧或低侧开关控制；在工业控制设备中，它可以用于大功率负载的开关控制，如伺服电机、电磁阀和继电器等。
STL28NQ15T | IPP28NQ15T
