RKR104BKUP6-HS 是一款高效能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和负载开关等应用。该芯片采用先进的封装技术,能够提供卓越的热性能和电气特性。其设计目标是优化导通电阻和开关损耗,从而提高整体系统效率。
该型号属于增强型 N 沟道 MOSFET 系列,具备低导通电阻和高电流处理能力,适用于高频开关应用场景。此外,它还具有出色的静电防护能力和抗浪涌能力,使其在各种工业和消费类电子产品中表现出色。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:4A
导通电阻:30mΩ
栅极电荷:25nC
输入电容:800pF
总功耗:2W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
RKR104BKUP6-HS 具有以下显著特点:
1. 低导通电阻:通过优化结构设计,该器件的导通电阻仅为 30mΩ,可有效降低传导损耗。
2. 高效开关性能:栅极电荷较小(25nC),有助于实现快速开关动作,减少开关损耗。
3. 强大的电流承载能力:支持高达 4A 的连续漏极电流,适合高功率应用。
4. 广泛的工作温度范围:能够在 -55℃ 至 +175℃ 的温度范围内稳定工作,适应极端环境条件。
5. 小型化封装:采用紧凑的封装形式,在保证性能的同时节省电路板空间。
6. 静电防护和抗浪涌能力:增强了芯片对瞬态电压的耐受性,提高了系统的可靠性。
这款芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):包括适配器、充电器和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动:用于小型直流电机和步进电机的控制。
3. 负载开关:实现电子设备中的动态电源管理。
4. 工业自动化:如伺服驱动器、变频器和其他电力电子装置。
5. 消费类电子产品:例如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理系统。
RKR104BKUP6-HS 凭借其高性能和可靠性,成为众多应用场合的理想选择。
RKR104BKUP6, RKR104BKUP6-LS, IRF540N