时间：2025/4/30 10:03:07
阅读：25
R5478N173CD-TR-FF 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和优异的开关性能，广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器等场景。其封装形式为 TO-263，适合表面贴装工艺，能够提供高效的功率转换能力。
该型号的主要特点是低导通电阻和高耐压能力，适用于需要快速开关和高效能转换的应用场合。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(V_DS)：60V
最大栅源电压(V_GS)：±20V
最大漏极电流(I_D)：39A
导通电阻(R_DS(on))：1.7mΩ (在 V_GS=10V 时)
功耗(PD)：115W
结温范围(T_j)：-55℃ 至 +175℃
封装：TO-263
R5478N173CD-TR-FF 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 (R_DS(on)) 可减少传导损耗，提高整体效率。
2. 高电流承载能力使其能够胜任大功率应用需求。
3. 快速开关速度确保了高频工作环境下的卓越性能。
4. 高耐压设计增强了器件在恶劣条件下的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且兼容现代生产工艺。
6. 表面贴装封装简化了安装过程并提高了生产效率。
这些特性使得该 MOSFET 成为众多电力电子应用中的理想选择。
R5478N173CD-TR-FF 的典型应用场景包括：
1. 开关电源 (SMPS) 中的功率级开关元件。
2. DC-DC 转换器中的同步整流或主开关。
3. 电机驱动电路中的功率输出级控制。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的大电流负载切换。
5. 工业自动化设备中的负载控制。
6. LED 照明驱动中的功率调节。
由于其高电流处理能力和低导通电阻，它非常适合用于要求高效率和可靠性的各种电力电子系统中。
R5478N173CD-TR-GG, R5478N173CD-TR-HH
