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R5478N173CD-TR-FF 发布时间 时间:2025/4/30 10:03:07 查看 阅读:5

R5478N173CD-TR-FF 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和优异的开关性能,广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器等场景。其封装形式为 TO-263,适合表面贴装工艺,能够提供高效的功率转换能力。
  该型号的主要特点是低导通电阻和高耐压能力,适用于需要快速开关和高效能转换的应用场合。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(V_DS):60V
  最大栅源电压(V_GS):±20V
  最大漏极电流(I_D):39A
  导通电阻(R_DS(on)):1.7mΩ (在 V_GS=10V 时)
  功耗(PD):115W
  结温范围(T_j):-55℃ 至 +175℃
  封装:TO-263

特性

R5478N173CD-TR-FF 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻 (R_DS(on)) 可减少传导损耗,提高整体效率。
  2. 高电流承载能力使其能够胜任大功率应用需求。
  3. 快速开关速度确保了高频工作环境下的卓越性能。
  4. 高耐压设计增强了器件在恶劣条件下的可靠性。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且兼容现代生产工艺。
  6. 表面贴装封装简化了安装过程并提高了生产效率。
  这些特性使得该 MOSFET 成为众多电力电子应用中的理想选择。

应用

R5478N173CD-TR-FF 的典型应用场景包括:
  1. 开关电源 (SMPS) 中的功率级开关元件。
  2. DC-DC 转换器中的同步整流或主开关。
  3. 电机驱动电路中的功率输出级控制。
  4. 电池管理系统 (BMS) 中的大电流负载切换。
  5. 工业自动化设备中的负载控制。
  6. LED 照明驱动中的功率调节。
  由于其高电流处理能力和低导通电阻,它非常适合用于要求高效率和可靠性的各种电力电子系统中。

替代型号

R5478N173CD-TR-GG, R5478N173CD-TR-HH

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