TMK325B7475KN-T 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高频率开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等应用设计。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,从而有效提升系统的效率和稳定性。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,能够在高频工作条件下提供卓越的性能表现,同时具备良好的热稳定性和抗浪涌能力,非常适合对效率和可靠性要求较高的应用场景。
类型:N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(Vds):750V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):10A
导通电阻(Rds(on)):1.5Ω(典型值,25°C)
栅极电荷(Qg):28nC
反向恢复时间(trr):90ns
结温范围:-55°C 至 150°C
封装形式:TO-247
1. 极低的导通电阻使得传导损耗最小化,从而提升整体效率。
2. 快速开关速度减少开关损耗,适合高频应用。
3. 高击穿电压确保了在高压环境下的可靠运行。
4. 内置雪崩能量保护功能,提高了器件的鲁棒性。
5. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
6. 热阻较低,有助于改善散热性能,延长使用寿命。
1. 开关电源(SMPS)
2. 电机驱动与控制
3. DC-DC 转换器
4. UPS 不间断电源
5. 太阳能逆变器
6. 工业自动化设备
7. LED 驱动电路
8. 电动车充电模块
IRFP460, FQA14N75C, STW96N75MD