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TMK325B7475KN-T 发布时间 时间:2025/6/21 4:22:51 查看 阅读:4

TMK325B7475KN-T 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高频率开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等应用设计。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,从而有效提升系统的效率和稳定性。
  这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,能够在高频工作条件下提供卓越的性能表现,同时具备良好的热稳定性和抗浪涌能力,非常适合对效率和可靠性要求较高的应用场景。

参数

类型:N沟道增强型 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):750V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):10A
  导通电阻(Rds(on)):1.5Ω(典型值,25°C)
  栅极电荷(Qg):28nC
  反向恢复时间(trr):90ns
  结温范围:-55°C 至 150°C
  封装形式:TO-247

特性

1. 极低的导通电阻使得传导损耗最小化,从而提升整体效率。
  2. 快速开关速度减少开关损耗,适合高频应用。
  3. 高击穿电压确保了在高压环境下的可靠运行。
  4. 内置雪崩能量保护功能,提高了器件的鲁棒性。
  5. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
  6. 热阻较低,有助于改善散热性能,延长使用寿命。

应用

1. 开关电源(SMPS)
  2. 电机驱动与控制
  3. DC-DC 转换器
  4. UPS 不间断电源
  5. 太阳能逆变器
  6. 工业自动化设备
  7. LED 驱动电路
  8. 电动车充电模块

替代型号

IRFP460, FQA14N75C, STW96N75MD

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TMK325B7475KN-T参数

  • 标准包装1
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列M
  • 电容4.7µF
  • 电压 - 额定25V
  • 容差±10%
  • 温度系数X7R
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用通用
  • 额定值-
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 尺寸/尺寸0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.083"(2.10mm)
  • 引线间隔-
  • 特点-
  • 包装Digi-Reel®
  • 引线型-
  • 其它名称587-1373-6