类型：功率MOSFET
　　沟道类型：双N沟道
　　最大漏极电流（ID）：4.4A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：28mΩ @ VGS = 10V
　　功率耗散：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：8

FDS9945A具有多项优良的电气和热性能，适用于高效率的功率管理应用。该器件采用了先进的Trench MOSFET技术，提供了极低的导通电阻（RDS(on)），从而降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。其双N沟道结构设计使其能够在多个负载开关或同步整流应用中发挥重要作用，同时减少了外部元件的需求，提高了设计的灵活性。
　　FDS9945A的最大漏极电流为4.4A，漏源电压额定为30V，能够在较高的电压环境下稳定工作。其栅源电压最大可达±20V，具备良好的栅极驱动兼容性，支持与常见的PWM控制器或逻辑电路直接连接。
　　在热性能方面，FDS9945A采用了TSOP封装，具有良好的散热能力，能够在较高的工作温度下保持稳定运行。其功率耗散能力为2.5W，适合在紧凑型设计中使用。工作温度范围为-55°C至150°C，具备良好的环境适应性，可在各种工业和汽车电子应用中使用。
　　此外，该器件还具备快速开关特性，能够有效降低开关损耗，提高电源转换效率。其短路和过热保护能力也增强了系统的稳定性和可靠性，适用于对电源管理要求较高的应用场景。

FDS9945A广泛应用于各种电源管理系统和负载开关电路中，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电机驱动电路、电源分配系统以及工业自动化设备。其高效率和紧凑型封装设计使其特别适用于空间受限但对性能要求较高的应用，如笔记本电脑、平板电脑、通信设备和便携式电子产品。

Si4410BDY-T1-GE3, FDS6680, IRF7413, NDS355AN