MA0402CG2R0B500 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高电子迁移率晶体管(HEMT),适用于高频和高功率应用。该器件采用先进的封装技术,具有出色的热性能和电气特性,能够满足现代电力电子设备对高效能和小型化的需求。其设计主要针对开关电源、DC-DC转换器以及射频放大器等应用领域,提供更高的效率和更小的尺寸。
型号:MA0402CG2R0B500
类型:氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)
额定电压:650 V
额定电流:10 A
导通电阻:2.0 mΩ(典型值)
栅极驱动电压:6 V(开启),0 V(关断)
开关频率:高达5 MHz
封装形式:TO-247-4L
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
MA0402CG2R0B500 的核心优势在于其采用了第三代半导体材料氮化镓,具备以下特点:
1. 高效性:低导通电阻显著减少了传导损耗,从而提高整体系统效率。
2. 高速切换能力:由于其快速的开关速度,可支持高频操作,减少磁性元件的体积并降低成本。
3. 热稳定性强:即使在高温环境下也能保持稳定的性能输出。
4. 小型化设计:相比传统硅基MOSFET,GaN HEMT可以实现更小的芯片面积,有助于缩小最终产品的尺寸。
5. 可靠性高:经过严格测试验证,确保长期使用中的可靠性。
这款器件非常适合应用于需要高效率和高频工作的场景,包括但不限于以下方面:
1. 开关模式电源(SMPS):用于数据中心、服务器、通信设备等场合。
2. DC-DC 转换器:汽车电子、工业自动化等领域中常见的电力转换模块。
3. 射频功率放大器:雷达、无线通信基站以及其他需要高性能射频信号放大的地方。
4. 充电器与适配器:快充技术相关的消费类电子产品。
5. 新能源领域:太阳能逆变器、电动车车载充电机(OBC)等绿色能源相关应用。
MA0402CG2R2B500, MA0402CG2R5B500