时间：2025/9/14 21:27:39
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PSMN017-60YS,115是一款由Nexperia（安世半导体）生产的600V N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的Trench肖特基技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高可靠性，适用于各种高效率电源转换应用，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器和照明系统。该MOSFET封装在高性能的TSON10封装中，具备良好的热管理和电气性能。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：600V
连续漏极电流(Id)：17A @ 100°C
导通电阻(Rds(on))：0.17Ω @ Vgs=10V
栅极阈值电压(Vgs(th))：2.1V ~ 4V
最大功耗(Pd)：60W
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装类型：TSON10
PSMN017-60YS,115具有多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）仅为0.17Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件采用先进的Trench肖特基技术，结合优化的芯片设计，显著降低了开关损耗，使其适用于高频开关环境。此外，该MOSFET具备出色的热稳定性，能够在高温度环境下稳定运行，延长系统寿命。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，典型驱动电压为10V，栅极阈值电压在2.1V至4V之间，便于与多种驱动电路兼容。其最大漏极电流可达17A，在高负载条件下仍能保持良好性能。同时，PSMN017-60YS,115具备高雪崩能量耐受能力，提升了器件在突变负载或短路情况下的可靠性。
该MOSFET采用TSON10封装，具有优良的热管理能力，有助于在高功率密度应用中实现高效的散热。此外，其封装设计符合RoHS标准，适用于环保和高可靠性要求的应用场景。
PSMN017-60YS,115广泛应用于多种高效率电源管理系统中。例如，在开关电源（SMPS）中，该MOSFET可作为主开关器件，用于提高转换效率并降低功耗。在DC-DC转换器中，该器件可用于高侧或低侧开关，支持高频操作，从而减小电感和电容的尺寸，提升系统功率密度。此外，PSMN017-60YS,115也可用于电机控制和驱动电路，如无刷直流电机（BLDC）驱动器和伺服控制系统。在LED照明系统中，该MOSFET适用于高功率LED驱动电路，提供稳定的电流控制和高效能转换。另外，该器件还可用于逆变器、不间断电源（UPS）以及工业自动化设备中的电源管理模块。
IPP60R190C6, STF15N60DM2, FQA16N60C, SPW60R190C6
