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PSMN017-60YS,115 发布时间 时间:2025/9/14 21:27:39 查看 阅读:19

PSMN017-60YS,115是一款由Nexperia(安世半导体)生产的600V N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的Trench肖特基技术,具有低导通电阻、优异的开关性能和高可靠性,适用于各种高效率电源转换应用,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器和照明系统。该MOSFET封装在高性能的TSON10封装中,具备良好的热管理和电气性能。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):600V
  连续漏极电流(Id):17A @ 100°C
  导通电阻(Rds(on)):0.17Ω @ Vgs=10V
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2.1V ~ 4V
  最大功耗(Pd):60W
  工作温度范围:-55°C ~ 175°C
  封装类型:TSON10

特性

PSMN017-60YS,115具有多项优异特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))仅为0.17Ω,有助于降低导通损耗,提高系统效率。其次,该器件采用先进的Trench肖特基技术,结合优化的芯片设计,显著降低了开关损耗,使其适用于高频开关环境。此外,该MOSFET具备出色的热稳定性,能够在高温度环境下稳定运行,延长系统寿命。
  该器件的栅极驱动电压范围较宽,典型驱动电压为10V,栅极阈值电压在2.1V至4V之间,便于与多种驱动电路兼容。其最大漏极电流可达17A,在高负载条件下仍能保持良好性能。同时,PSMN017-60YS,115具备高雪崩能量耐受能力,提升了器件在突变负载或短路情况下的可靠性。
  该MOSFET采用TSON10封装,具有优良的热管理能力,有助于在高功率密度应用中实现高效的散热。此外,其封装设计符合RoHS标准,适用于环保和高可靠性要求的应用场景。

应用

PSMN017-60YS,115广泛应用于多种高效率电源管理系统中。例如,在开关电源(SMPS)中,该MOSFET可作为主开关器件,用于提高转换效率并降低功耗。在DC-DC转换器中,该器件可用于高侧或低侧开关,支持高频操作,从而减小电感和电容的尺寸,提升系统功率密度。此外,PSMN017-60YS,115也可用于电机控制和驱动电路,如无刷直流电机(BLDC)驱动器和伺服控制系统。在LED照明系统中,该MOSFET适用于高功率LED驱动电路,提供稳定的电流控制和高效能转换。另外,该器件还可用于逆变器、不间断电源(UPS)以及工业自动化设备中的电源管理模块。

替代型号

IPP60R190C6, STF15N60DM2, FQA16N60C, SPW60R190C6

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PSMN017-60YS,115参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C44A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C15.7 毫欧 @ 15A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1172pF @ 30V
  • 功率 - 最大74W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-100,SOT-669,4-LFPAK
  • 供应商设备封装LFPAK,Power-SO8
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称568-5581-6