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PJS6809_S1_00001 发布时间 时间:2025/8/14 4:28:43 查看 阅读:4

PJS6809_S1_00001 是一款由 Power Integrations 推出的高度集成的离线式反激变换器控制芯片,专为高性能、高能效的电源适配器和充电器应用设计。该芯片集成了高压功率 MOSFET 和先进的控制算法,支持准谐振(QR)工作模式,从而实现了高效率和低电磁干扰(EMI)。该器件采用 InSOP-24 封装,具备良好的热性能和高绝缘等级,适用于 USB PD、笔记本适配器以及宽输入电压范围的 AC/DC 转换器。

参数

拓扑结构:反激式控制器
  集成MOSFET:725V MOSFET
  最大输出功率:65W
  工作模式:准谐振(QR)
  开关频率:可变频率,最高132kHz
  输入电压范围:85VAC至265VAC
  反馈类型:次级侧反馈(PSR)
  封装类型:InSOP-24
  安全认证:符合IEC 60950和IEC 62368标准
  保护功能:过载保护(OLP)、过压保护(OVP)、过温保护(OTP)、输入欠压保护
  效率等级:满足CoC Tier 2和DoE Level VI能效标准

特性

PJS6809_S1_00001 采用 Power Integrations 独有的 PowiGaN 技术,集成了高压氮化镓(GaN)开关器件,显著提高了电源转换效率并减少了系统损耗。该芯片支持自适应准谐振控制,能根据负载变化自动调整工作频率,确保在各种工况下实现零电压开关(ZVS),从而降低开关损耗和EMI辐射。其内置的同步整流控制器可驱动外部同步整流MOSFET,进一步提升效率。此外,该器件具有高度集成的初级侧反馈(PSR)功能,无需光耦和次级侧控制器,简化了电路设计,降低了系统成本。
  在安全性方面,PJS6809_S1_00001 提供全面的保护机制,包括过压保护、过流保护、过热保护和输入欠压保护,保障系统在异常情况下的稳定运行。其InSOP-24封装设计具备高耐压能力(满足10mm爬电距离要求),适用于全球范围内的输入电压标准。该芯片还支持USB PD 3.0+PPS协议,能够实现高精度的电压和电流调节,满足快充市场对多功能电源适配器的需求。

应用

PJS6809_S1_00001 主要用于高性能的USB Type-C充电器和适配器,支持USB PD和PPS快充协议。它也广泛应用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机的通用充电器,以及工业和消费类电子设备的AC/DC电源模块。此外,该芯片适用于需要高效率、小体积和高可靠性的电源设计,如智能家居设备、无线充电器、LED驱动电源等。

替代型号

PJS6808_S1_00001, PJS6810_S1_00001

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PJS6809_S1_00001参数

  • 现有数量11,372现货
  • 价格1 : ¥4.21000剪切带(CT)3,000 : ¥1.18999卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置2 个 P 沟道(双)
  • FET 功能-
  • 漏源电压(Vdss)30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2.6A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)115 毫欧 @ 2.6A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)9.8nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)396pF @ 15V
  • 功率 - 最大值1.25W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SOT-23-6
  • 供应商器件封装SOT-23-6