时间：2025/8/28 5:16:57
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RJ23Y3BC0LT 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高功率密度的应用，适用于广泛的电子设备，包括电源转换器、DC-DC 转换器、电池管理系统、电机驱动器和负载开关等。该 MOSFET 具有低导通电阻（Rds(on)）特性，能够在较高电流下保持较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。RJ23Y3BC0LT 采用小型表面贴装封装，便于 PCB 设计和自动化组装。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：100A（在 Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：3.4mΩ（最大值，Vgs=10V）
功率耗散（Pd）：130W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
RJ23Y3BC0LT 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件的 30V 漏源电压使其适用于中低压电源管理应用，如电池供电系统和直流电源转换器。其高电流承载能力（高达 100A）使其能够应对高功率负载需求，同时其 130W 的最大功率耗散能力也支持其在高功率密度设计中的使用。此外，该 MOSFET 支持 ±20V 的栅极电压，提高了其在不同控制电路中的兼容性。
该器件采用 TO-252（DPAK）封装，这种封装形式不仅提供了良好的热性能，还支持表面贴装技术（SMT），简化了 PCB 设计和生产流程。RJ23Y3BC0LT 的热阻（Rth）较低，有助于快速散热，确保在高负载条件下的稳定运行。此外，该器件具有良好的抗雪崩能力，能够承受一定的过压和过流冲击，提高系统的可靠性。
由于其出色的电气性能和机械特性，RJ23Y3BC0LT 在汽车电子、工业控制、通信设备和消费类电子产品中得到了广泛应用。例如，在汽车系统中，它可用于电机控制、电池管理系统（BMS）以及车载充电器（OBC）等关键模块。
RJ23Y3BC0LT 主要应用于中低压功率转换系统，包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统（BMS）。在汽车电子领域，该器件适用于车载充电器、起停系统、电动助力转向系统等。在工业设备中，RJ23Y3BC0LT 可用于伺服电机控制、PLC 输出模块和工业电源。此外，该 MOSFET 还可用于高性能电源管理模块、电源适配器、UPS（不间断电源）以及储能系统等应用场景。
SiSS130DN-T1-GE3, FDP100N30L, IRF1405PbF, IPD90N30C3
