UF308GT/R是一款由东芝(Toshiba)制造的功率晶体管,属于双极型晶体管(BJT)类别。该器件适用于高功率应用,如电源转换器、电机驱动和工业控制电路。UF308GT/R具有较高的电流容量和良好的热稳定性,能够在较高温度下稳定工作。该晶体管采用TO-220封装,具备良好的散热性能,适合用于需要高可靠性和稳定性的电路中。
晶体管类型:NPN双极型晶体管
最大集电极-发射极电压(VCEO):400V
最大集电极电流(IC):3A
最大功耗(PD):40W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:TO-220
电流增益(hFE):典型值为80(测试条件:IC=150mA, VCE=5V)
过渡频率(fT):4MHz
集电极-基极击穿电压(VCBO):600V
发射极-基极击穿电压(VEBO):7V
UF308GT/R是一款专为高功率和高频应用设计的NPN型双极晶体管。其最大集电极-发射极电压为400V,能够承受较高的电压应力,适用于开关电源、逆变器和电机控制等应用。该晶体管的最大集电极电流为3A,支持较大的负载电流,同时具备40W的最大功耗能力,能够在较高功率条件下稳定运行。
该晶体管采用了先进的硅技术,具备良好的热稳定性和可靠性。其TO-220封装形式不仅提供了良好的散热性能,还便于安装在散热片上,从而提高整体系统的散热效率。此外,UF308GT/R的工作温度范围宽,从-55°C到+150°C,使其能够在极端环境条件下保持稳定工作。
在电气性能方面,UF308GT/R的电流增益(hFE)典型值为80,在IC=150mA、VCE=5V的测试条件下表现出良好的放大能力。其过渡频率(fT)为4MHz,适用于中高频放大和开关应用。此外,该晶体管的集电极-基极击穿电压为600V,发射极-基极击穿电压为7V,确保在高压环境下仍能正常运行。
UF308GT/R广泛应用于各种高功率和高频电子电路中。常见的应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、照明控制、工业自动化设备以及各种需要高电流和高电压能力的电路。此外,该晶体管也常用于音频放大器中的输出级,以提供足够的功率驱动扬声器或其他负载。
TIP30C, BUW50A, BUW51A