TND905 时间：2025/7/30 7:52:42 阅读：5

TND905 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于各种电力电子设备中，如电源管理、开关电源、DC-DC 转换器和电机控制等。该器件具有高耐压、低导通电阻以及良好的热性能，适用于需要高效能和稳定性的应用场合。TND905 采用 TO-220 封装，便于散热和安装。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压 (Vds)：500 V
　　栅源电压 (Vgs)：±30 V
　　漏极电流 (Id)：9 A（连续）
　　导通电阻 (Rds(on))：典型值 0.85 Ω @ Vgs = 10 V
　　功率耗散 (Ptot)：75 W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220

特性

TND905 功率 MOSFET 具有以下主要特性：
　　1. 高耐压能力：TND905 的漏源电压最大可达到 500 V，使其适用于高电压应用场景，例如开关电源和电机驱动。
　　2. 低导通电阻：其导通电阻 (Rds(on)) 典型值为 0.85 Ω，在 Vgs 为 10 V 时能够显著减少导通损耗，提高整体效率。
　　3. 高电流承载能力：连续漏极电流为 9 A，适合需要中高电流的功率控制应用。
　　4. 高功率耗散能力：最大功率耗散为 75 W，结合 TO-220 封装优异的散热性能，确保在高负载情况下也能保持良好的稳定性。
　　5. 宽工作温度范围：TND905 支持从 -55°C 到 +150°C 的工作温度范围，使其能够在严苛的工业环境中稳定运行。
　　6. 易于驱动：由于其栅极电荷较低，TND905 可以与常见的驱动电路兼容，减少开关损耗并提高响应速度。
　　7. 可靠性和耐用性：STMicroelectronics 的制造工艺确保了 TND905 在长期使用中的稳定性和可靠性，适用于各种工业和消费类电子产品。

应用

TND905 主要应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS)：TND905 的高耐压能力和低导通电阻使其成为开关电源中的理想选择，适用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器设计。
　　2. 电机控制：在电机驱动电路中，TND905 可以用来控制电机的启停和速度调节，适用于家用电器和工业设备。
　　3. 电源管理：该器件可以用于电池管理系统、负载开关和电源分配电路，提供高效的电源控制。
　　4. LED 照明：在 LED 驱动器中，TND905 可用于调节电流和实现调光功能。
　　5. 逆变器和 UPS：TND905 也适用于不间断电源 (UPS) 和逆变器系统，提供稳定的功率输出。
　　6. 工业自动化：在工业控制系统中，该 MOSFET 可用于继电器替代、负载切换和信号隔离等应用。