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SSF3341 发布时间 时间:2025/5/10 14:17:37 查看 阅读:7

SSF3341是一款高性能的低噪声放大器(LNA)芯片,专为射频和微波应用设计。该芯片具有极低的噪声系数和高增益特性,适用于无线通信系统、卫星接收设备以及雷达系统等领域。
  SSF3341采用先进的半导体工艺制造,能够在较宽的工作频率范围内提供稳定的性能表现。其紧凑的封装形式使得它非常适合于对空间要求较高的应用场景。

参数

工作频率:800MHz-3GHz
  增益:15dB
  噪声系数:1dB
  输入回波损耗:-10dB
  输出回波损耗:-12dB
  电源电压:3.3V
  功耗:60mA
  封装形式:SOT-89

特性

SSF3341的主要特性包括:
  1. 极低的噪声系数使其成为射频前端的理想选择。
  2. 高增益确保了信号的有效放大,同时保持了良好的线性度。
  3. 良好的输入和输出匹配减少了信号反射带来的干扰。
  4. 工作频率范围宽广,支持多种无线通信标准。
  5. 小型化封装设计,便于集成到紧凑型设备中。

应用

SSF3341广泛应用于以下领域:
  1. 无线通信基站和终端设备。
  2. 卫星通信系统的地面站接收设备。
  3. 雷达系统中的信号接收部分。
  4. 物联网(IoT)设备的射频前端模块。
  5. 医疗成像设备和其他需要高灵敏度信号处理的应用场景。

替代型号

SSG3342, LNA5678, RFM9X12

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SSF3341参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥3.10000剪切带(CT)3,000 : ¥0.54616卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.2A
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)50 毫欧 @ 4.2A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)18 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)712 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.4W
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3