时间：2025/6/25 16:39:22
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STS5N15F4 是一款 N 沯道功率场效应晶体管（MOSFET），由意法半导体（STMicroelectronics）制造。该器件采用了先进的制程技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换和控制应用。其封装形式为 TO-263（D2PAK），便于散热和安装。
这款 MOSFET 的最大特点是能够在高频开关应用中保持高效能表现，同时支持较高的连续漏极电流，使其成为工业、汽车及消费类电子产品的理想选择。
型号：STS5N15F4
类型：N 沯道功率 MOSFET
Vds（漏源电压）：15V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：4.8mΩ
Id（连续漏极电流）：75A
功耗：140W
栅极电荷（Qg）：13nC
Vgs(th)（阈值电压）：2.3V
封装：TO-263 (D2PAK)
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
STS5N15F4 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on) 仅为 4.8mΩ），可有效减少导通损耗，提升效率。
2. 高额定电流（75A 连续漏极电流），适合大功率应用场景。
3. 快速开关能力，栅极电荷较小（13nC），有助于降低开关损耗。
4. 宽工作温度范围（-55°C 至 +175°C），适应各种极端环境条件。
5. 符合 RoHS
6. 封装设计优良，具备出色的散热性能。
STS5N15F4 广泛应用于需要高效功率管理的场景，例如：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. 直流-直流转换器（DC-DC Converter）。
3. 电机驱动电路。
4. 电池管理系统（BMS）。
5. 工业自动化设备中的负载切换。
6. 汽车电子中的各类功率控制模块。
由于其低导通电阻和高电流承载能力，特别适合需要频繁开关和高效率要求的应用场合。
IRFZ44N
STP55NF06L
FDP5580
IXFN100N15T2
