型号：RH-IXB003WJN1Q
　　封装类型：表面贴装（SOP）
　　隔离电压：2500 Vrms
　　输入电压范围：3.3 V 至 5.5 V
　　输出驱动电流：最大 ±2.5 A
　　传输延迟：典型值 0.6 μs
　　脉冲宽度失真：< 0.1 μs
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　电源电压（VCC）：15 V 至 30 V
　　输出电压摆幅：0 V 至 VCC
　　短路保护：支持
　　过流保护：支持
　　欠压锁定（UVLO）：支持

RH-IXB003WJN1Q 采用了 Renesas 独有的光耦隔离技术，确保了输入与输出之间的电气隔离，隔离电压高达 2500 Vrms，适用于高电压和高噪声环境。其低传输延迟（典型值 0.6 微秒）和极小的脉冲宽度失真（< 0.1 微秒）使得该芯片能够实现快速、精确的信号传输，适用于高频开关应用。
　　该驱动器的输出驱动能力高达 ±2.5 A，能够有效驱动大功率 IGBT 和 MOSFET 器件。其支持多种保护功能，包括短路保护、过流保护和欠压锁定（UVLO），在异常情况下可自动关闭输出，防止功率器件损坏，提高系统稳定性。
　　此外，RH-IXB003WJN1Q 的输入逻辑兼容 3.3 V 至 5.5 V 电压，可与多种微控制器和 DSP 控制器直接接口。其宽工作温度范围（-40°C 至 +125°C）使其适用于严苛的工业环境。

RH-IXB003WJN1Q 主要用于工业电机驱动、伺服控制器、变频器、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、智能电网设备等高功率电子系统中。其高隔离性能和强大的驱动能力使其成为需要高效、高可靠性的功率控制应用的理想选择。该芯片也可用于需要高速开关和抗干扰能力的自动化控制系统、工业机器人和电力电子变换器等场景。

IXB003WJN1W, HCPL-J312, ACPL-C790