时间：2025/8/15 10:12:04
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R2005200P12S1是一款广泛应用于工业控制、电源管理和电机驱动领域的功率MOSFET模块。该模块采用先进的封装技术和高效的半导体材料，提供卓越的导通性能和热稳定性。它集成了多个MOSFET器件，能够在高电压和高电流环境下稳定工作，适用于需要高可靠性和高效能的电力电子系统。
类型：功率MOSFET模块
漏源电压（Vds）：1200V
漏极电流（Id）：200A
导通电阻（Rds(on)）：5.2mΩ
封装类型：双列直插式（DIP）
工作温度范围：-55°C至+150°C
最大功耗：200W
栅极电压范围：±20V
短路耐受能力：5ms
R2005200P12S1具备低导通电阻和高电流承载能力，使其在高功率应用中表现出色。模块内部采用优化的芯片布局和先进的封装技术，提高了热管理和电磁兼容性能。该器件具有快速开关特性，降低了开关损耗，并支持高频操作，适用于各种高效率电源转换系统。
此外，R2005200P12S1具备优异的短路保护能力和过温耐受性能，确保在极端工作条件下仍能保持稳定运行。其高可靠性和长寿命设计，使其成为工业电机驱动、逆变器、不间断电源（UPS）等关键应用的理想选择。该模块还支持并联使用，以进一步提高系统功率等级，同时具备良好的热均匀性，避免局部过热问题。
R2005200P12S1广泛应用于工业自动化设备、电机驱动器、变频器、UPS系统、太阳能逆变器、电动汽车充电设备以及高功率电源转换系统。其优异的电气性能和可靠性使其在要求苛刻的工业环境中表现出色，适用于需要高效率和高稳定性的电力电子应用。
SKM200GB12T4, FF200R12KT4, IRGP50B120KD}
