RFD14N05LSM9/A是一款由Renesas Electronics制造的N沟道功率MOSFET。该器件专为高效能和高可靠性设计,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关和马达控制等电力电子领域。这款MOSFET采用先进的沟槽技术,能够在低导通电阻(RDS(on))和高开关性能之间实现良好平衡。封装形式为PowerPAK SO-8双封装,具有出色的热性能和电流处理能力。
类型:N沟道
漏极电流(ID):18A(最大)
漏极-源极电压(VDS):50V
栅极-源极电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):最大值14mΩ @ VGS=10V
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装类型:PowerPAK SO-8
RFD14N05LSM9/A具备多项优异特性,首先是其极低的导通电阻,能够在高电流条件下显著降低功率损耗,提高系统效率。其次,该MOSFET采用了先进的沟槽式栅极结构,提供优异的开关性能,从而减少了开关损耗并提高了整体系统响应速度。
该器件还具有良好的热管理性能,得益于其PowerPAK SO-8封装技术,该封装具备双面散热能力,有助于快速导出热量,从而提高器件在高负载条件下的稳定性和可靠性。此外,RFD14N05LSM9/A的栅极驱动电压范围较宽,可在4.5V至20V之间正常工作,使其适用于多种驱动电路设计,包括使用5V控制器的系统。
在可靠性方面,该MOSFET具备高雪崩能量耐受能力,并通过了AEC-Q101汽车电子认证,适用于汽车电子系统中的关键应用。此外,其高抗闩锁(latch-up)能力和出色的短路耐受性,使其在恶劣工作环境下仍能保持稳定运行。
RFD14N05LSM9/A适用于多种高效率电源管理应用,包括但不限于同步整流型DC-DC转换器、电池管理系统(BMS)、电动车辆充电电路、工业电源、服务器电源模块以及电机驱动控制电路。由于其优异的导通特性和高热稳定性,该器件在高功率密度设计中表现出色,是高性能电源系统中理想的功率开关器件。
SiMD14N05LGE SiMD14N05LGE-T1-GE3 | NTD14N05CLT4G | FDS4410A | AO4410 | IPB14N05N G | RFD14N05LSM