时间：2025/8/29 15:53:35
阅读：14
SIR333C是一款由Vishay Siliconix生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换应用。这款MOSFET具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流承载能力和高开关速度，适用于各种高性能电源系统。
类型：N沟道
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：20V
最大漏极电流（ID）：11A
导通电阻（RDS(on)）：37mΩ @ VGS = 10V
功率耗散（PD）：44W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TO-220AB
SIR333C MOSFET采用了先进的沟槽技术，具有极低的导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其高电流承载能力使其适用于高功率密度设计。此外，SIR333C的封装形式为TO-220AB，具备良好的散热性能，适合在高功率应用中使用。该器件还具备快速开关特性，适用于高频开关电源设计，减少了开关损耗。
在可靠性方面，SIR333C具备良好的热稳定性和耐久性，能够在高温环境下稳定工作。其栅极氧化层设计可承受高达20V的栅源电压，提高了抗过压能力。此外，器件内部的体二极管具备一定的反向恢复能力，可在同步整流等应用中提供较好的性能表现。
该MOSFET适用于多种电源拓扑结构，如降压（Buck）、升压（Boost）和同步整流器等。由于其高性能和高可靠性，SIR333C常用于DC-DC转换器、电池管理系统、电机控制和负载开关等应用场景。
SIR333C MOSFET主要应用于以下领域：电源管理模块、DC-DC转换器、负载开关、电机控制、电池充电系统、工业自动化设备和汽车电子系统等。其优异的导通性能和高可靠性使其成为高性能电源设计中的理想选择。
Si4410BDY, IRF3703Z, FDP333C, SQ333C, AO4410
