FS1D-LT是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的低功耗、高精度的霍尔效应传感器,广泛用于检测磁场的存在和强度。该器件采用SOT-23封装,适用于各种工业自动化、汽车电子以及消费类电子产品中的位置检测和速度测量。FS1D-LT内部集成了电压调节器、霍尔元件以及信号处理电路,能够在宽电压范围内稳定工作,同时具备良好的抗静电能力和温度稳定性。
工作电压:2.7V 至 16V
工作电流:典型值5.5μA(待机电流仅0.1μA)
输出类型:开漏输出
响应时间:典型值为3.5μs
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
封装形式:SOT-23
磁感应强度阈值(Bop):典型值35 Gauss
释放磁感应强度(Brp):典型值25 Gauss
回差(Bhys):10 Gauss
FS1D-LT具有低功耗、高灵敏度和宽工作电压范围等特性,非常适合电池供电设备或需要长期稳定运行的系统。其内置的电压调节器使其可以在2.7V至16V的电源电压下正常工作,从而提高了系统的兼容性和可靠性。该传感器采用数字输出方式,输出信号通过外部上拉电阻连接至控制器,简化了与微处理器或逻辑电路的接口设计。
FS1D-LT在设计上采用了先进的斩波稳定技术,有效降低了温度漂移和器件老化带来的误差,提高了测量精度和长期稳定性。其磁感应阈值具有一定的回差(Bhys),避免了在阈值附近由于磁场波动引起的输出抖动,提高了系统响应的可靠性。
此外,该器件具有良好的抗静电能力(ESD)和较强的环境适应性,能够在恶劣的工业和汽车环境中稳定运行。其SOT-23封装形式体积小巧,适合在空间受限的PCB布局中使用。
FS1D-LT广泛应用于各种需要磁场检测的场合,如无刷直流电机的转子位置检测、门开关闭合检测、接近开关、旋转编码器、流量计、水表、气表等。在汽车电子领域,它可用于检测车门、后备箱、天窗等是否关闭到位,也可用于电动助力转向系统(EPS)中的位置反馈检测。
在消费类电子产品中,FS1D-LT可用于智能门锁、可穿戴设备中的运动检测、翻盖手机的翻盖状态识别等场景。由于其低功耗特性,也常用于无线传感器网络和物联网设备中的电池供电节点。
FS2D-LT, FS3D-LT, A1101-EIC-T, US5881LUA-T