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IXDN414YM 发布时间 时间:2025/8/5 13:23:00 查看 阅读:17

IXDN414YM是一款由IXYS公司制造的高速MOSFET和IGBT驱动器集成电路。该器件设计用于驱动功率MOSFET和IGBT(绝缘栅双极晶体管),在电源转换和电机控制等高功率应用中具有重要作用。IXDN414YM采用双极性推挽式输出结构,能够提供高输出电流和快速的开关能力,适用于需要高效率和快速响应的系统。该驱动器具备低传播延迟、宽输入电压范围以及内置的保护功能,从而增强了系统稳定性和可靠性。

参数

电源电压范围:4.5V 至 20V
  输出电流能力:±1.6A(峰值)
  传播延迟:典型值5ns
  上升时间:典型值1.5ns
  下降时间:典型值1.5ns
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装类型:8引脚 SOIC
  输入逻辑电平:TTL/CMOS兼容
  输出结构:推挽式

特性

IXDN414YM的主要特性之一是其高速驱动能力。其传播延迟仅为5ns,上升和下降时间均为1.5ns,这使得该驱动器能够适应高频开关应用,从而提高系统效率并减小功率转换器的体积。此外,IXDN414YM的输出电流可达±1.6A,足以驱动高栅极电荷的MOSFET和IGBT,确保快速开通和关断,降低开关损耗。
  另一个显著优点是其宽广的电源电压范围,从4.5V到20V均可正常工作。这种灵活性允许IXDN414YM在多种电源架构中使用,例如在DC-DC转换器、AC-DC电源、电机驱动器和逆变器中。输入端兼容TTL和CMOS电平,便于与各种控制器和微处理器连接。
  IXDN414YM采用8引脚SOIC封装,体积小巧,便于在空间受限的设计中使用。此外,该器件在设计中考虑了热管理和可靠性问题,能够在-40°C至+125°C的温度范围内稳定工作,适用于工业和汽车等严苛环境。
  内置的保护机制包括欠压锁定(UVLO),以防止在低电压条件下驱动功率器件,避免可能的误导通或损坏。此外,该驱动器具有高抗噪能力,可有效防止输入信号受到干扰而导致的错误触发。

应用

IXDN414YM广泛应用于各种高功率电子系统中,尤其是在需要高速开关和高效能的场合。例如,在电源管理领域,该驱动器可用于DC-DC转换器、同步整流器和AC-DC适配器中,驱动MOSFET以提高转换效率。在电机控制方面,IXDN414YM适用于无刷直流电机(BLDC)和永磁同步电机(PMSM)的控制电路,实现快速响应和精确控制。
  该驱动器还常见于工业自动化设备、逆变器、UPS(不间断电源)系统和太阳能逆变器等应用中。由于其高速特性,IXDN414YM也可用于高频谐振转换器和ZVS(零电压开关)拓扑结构,以提高整体系统的性能。
  此外,IXDN414YM的高可靠性和宽工作温度范围使其适用于汽车电子系统,如车载充电器、电动助力转向系统(EPS)和电池管理系统(BMS)中的功率器件驱动。

替代型号

IXDN414PI, IXDN414S, TC4420, MIC5011

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