UFZ24NL-TN3-R 时间：2025/12/27 7:40:48 阅读：12

UFZ24NL-TN3-R是一款由ROHM Semiconductor生产的P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用小型表面贴装封装，适用于高密度印刷电路板设计。该器件主要面向需要低导通电阻和高效率的电源管理应用，特别是在便携式电子设备中表现优异。其封装形式为S-Mini（也称作DFN1006-3），尺寸紧凑，有助于节省PCB空间，同时具备良好的热性能和电气性能。该MOSFET通过优化结构设计，在低电压驱动条件下仍能实现高效的开关操作，适合电池供电系统中的负载开关、电源路径控制以及信号切换等场景。此外，UFZ24NL-TN3-R符合RoHS环保标准，并具有无卤素（Halogen-free）特性，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。器件在制造过程中采用了可靠的生产工艺，确保了长期使用的稳定性和耐用性，广泛应用于智能手机、可穿戴设备、物联网终端以及其他消费类电子产品中。

参数

型号：UFZ24NL-TN3-R
　　极性：P沟道
　　漏源电压（Vds）：-20V
　　栅源电压（Vgs）：+8V/-8V
　　连续漏极电流（Id）：-1.7A
　　脉冲漏极电流（Idm）：-3.4A
　　导通电阻Rds(on)：37mΩ @ Vgs = -4.5V
　　导通电阻Rds(on)：47mΩ @ Vgs = -2.5V
　　阈值电压（Vth）：-0.6V ~ -1.0V
　　输入电容（Ciss）：270pF @ Vds=10V
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：S-Mini (DFN1006-3)
　　安装方式：表面贴装
　　功率耗散（Pd）：500mW

特性

UFZ24NL-TN3-R具备优异的电气特性和热稳定性，其核心优势在于低导通电阻与小型化封装的结合。该器件在Vgs=-4.5V时的典型Rds(on)仅为37mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。尤其在电池供电的应用中，这种低损耗特性有助于延长设备续航时间。此外，即使在较低的栅极驱动电压下（如-2.5V），其Rds(on)仍保持在47mΩ的较低水平，展现出良好的低电压驱动能力，兼容3.3V或1.8V逻辑控制信号，无需额外电平转换电路即可直接驱动，简化了设计复杂度。
　　该MOSFET采用先进的沟槽型工艺技术，优化了载流子迁移路径，提升了单位面积的电流承载能力。同时，其S-Mini封装具有极短的引线长度和较大的焊盘接触面积，有效降低了寄生电感和热阻，增强了高频开关性能和散热能力。器件的输入电容仅为270pF，有助于减少开关过程中的驱动功耗，提升开关速度，适用于高频DC-DC转换器或快速响应的负载开关电路。
　　UFZ24NL-TN3-R还具备良好的抗雪崩能力和静电放电（ESD）防护性能，能够在瞬态过压或电流冲击下保持稳定运行，提高了系统的可靠性。其宽泛的工作结温范围（最高可达+150℃）使其可在高温环境下稳定工作，适用于紧凑型高功率密度设计。此外，产品经过严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和温度循环测试，确保在各种严苛条件下的长期稳定性。

应用

UFZ24NL-TN3-R广泛应用于对空间和能效要求较高的便携式电子设备中。常见用途包括移动设备中的电池电源管理模块，作为高端或低端开关用于同步整流型DC-DC转换器，以提高电源转换效率。在负载开关电路中，该器件可用于控制不同功能模块的供电通断，实现节能待机或热插拔保护。由于其快速的开关响应能力和低静态电流消耗，也常用于LED背光驱动电路中的电流调节或关断控制。
　　在可穿戴设备如智能手表、健康监测手环中，UFZ24NL-TN3-R的小尺寸封装能够有效节省宝贵的PCB空间，同时其低导通电阻减少了发热问题，提升了佩戴舒适性与安全性。此外，该器件还可用于传感器电源门控、无线通信模块（如蓝牙/Wi-Fi芯片组）的供电管理，以及USB接口的过流保护和热插拔控制。
　　工业领域中，该MOSFET适用于小型PLC模块、传感器节点、IoT网关等低功耗控制系统。其稳定的电气性能和宽温度工作范围也使其适合部署在环境条件变化较大的应用场景中。总体而言，UFZ24NL-TN3-R凭借其高性能、小体积和高可靠性，成为现代低电压、低功耗电源设计中的理想选择。