时间：2025/8/15 13:36:22
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RF5611TR7 是一款由 RF Micro Devices（现为 Qorvo）制造的射频（RF）晶体管，常用于射频功率放大器应用。这款晶体管设计用于在900MHz至1000MHz频率范围内工作，适用于无线通信基础设施、基站和其他射频应用。RF5611TR7采用高电子迁移率晶体管（HEMT）技术，提供了高功率增益和良好的线性性能，适合高效率的射频放大器设计。
类型：射频晶体管
技术：HEMT（高电子迁移率晶体管）
频率范围：900MHz - 1000MHz
最大漏极电流（Idmax）：100mA
最大漏极-源极电压（Vdsmax）：28V
输出功率：约20W（典型值）
增益：18dB（典型值）
封装类型：表面贴装（SMT）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
RF5611TR7 是一款高性能的射频功率晶体管，专为高线性度和高效率的应用而设计。其采用HEMT工艺，使得器件具有较高的电子迁移率，从而在高频下实现优异的增益和输出功率性能。该晶体管在900MHz至1GHz范围内表现稳定，适用于无线基础设施、蜂窝基站功率放大器和宽带通信设备。此外，RF5611TR7 具有良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内工作，适合在严苛环境中使用。该器件的SMT封装便于自动化装配，提高了制造效率。在设计上，RF5611TR7 提供了良好的输入/输出匹配，减少了外围电路的需求，有助于简化电路设计并提高整体系统性能。
该器件广泛应用于无线通信基础设施中的射频功率放大器，如蜂窝基站（GSM、CDMA、WCDMA）、微波通信设备、测试仪器、广播发射机以及宽带放大器模块。由于其高频性能和高可靠性，RF5611TR7 也非常适合用于工业和军事通信系统中的射频前端设计。
RF5610TR7, RF5612TR7, RF5613TR7
