类型：SRAM
　　容量：2 Mbit（256K x 8）
　　组织结构：256K x 8位
　　电源电压：2.3V 至 3.6V
　　最大访问时间：85ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：54引脚LLP
　　封装尺寸：9mm x 11mm
　　接口类型：并行
　　读取电流（最大）：180mA
　　待机电流（最大）：10mA

HY62UF16201ALLF-85IDR 是一款高性能SRAM芯片，采用先进的CMOS工艺制造，具有高速访问时间和低功耗的特点。其最大访问时间为85纳秒，使得该芯片能够满足高速数据存取的应用需求。芯片支持2.3V至3.6V的宽电压范围，使其在不同系统中具有良好的兼容性。此外，该器件具有低待机电流，在待机模式下电流消耗不超过10mA，有助于降低系统的整体功耗。
　　该芯片采用54引脚LLP封装，具有较小的封装尺寸（9mm x 11mm），适合空间受限的应用场景。LLP封装还提供了良好的热性能和电气性能，确保芯片在高负载条件下稳定运行。芯片支持工业级温度范围（-40°C至+85°C），适用于工业控制、通信设备、医疗仪器等环境条件较为苛刻的应用场景。
　　HY62UF16201ALLF-85IDR 还具有高可靠性，经过严格的测试和验证，确保在长时间运行中保持稳定的数据存储和访问性能。其并行接口设计支持高速数据传输，适用于需要大量高速数据缓存的系统。

HY62UF16201ALLF-85IDR SRAM芯片广泛应用于需要高速数据存取和稳定性的各种电子系统。其典型应用包括工业控制系统、嵌入式系统、通信设备、网络路由器、测试仪器、视频处理设备以及实时控制系统等。在这些应用中，该芯片可以作为高速缓存、临时数据存储器或主存使用，以提高系统的响应速度和运行效率。
　　此外，该芯片也适用于需要高可靠性和宽温度范围运行的汽车电子系统、医疗设备和航空航天设备中的数据存储与处理模块。

CY62167EALLF-85SC, IS61LV25616ALB4A-85BQI, IDT71V416S189BGI, A6216208A85DCYR