时间：2025/12/28 19:14:04
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TV50C540J-G是一款由Toshiba（东芝）公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率、高频率的开关电源和功率放大器应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET结构，具备较低的导通电阻（Rds(on)）和高效的开关性能，能够在高温和高压环境下稳定工作。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：500V
漏极电流（Id）：24A（在Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：0.54Ω（最大值）
栅极电压（Vgs）：±30V
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装类型：TO-220
TV50C540J-G具有多项优异的电气和热性能，适用于高效率电源系统的设计。其导通电阻较低，有助于减少功率损耗，提高系统的整体效率。该MOSFET的封装形式为TO-220，具有良好的散热能力，适用于高功率密度的设计。此外，该器件的栅极氧化层设计增强了抗过压能力，使其在高电压环境下仍能稳定运行。
该MOSFET具备快速开关能力，适合用于高频开关电源和DC-DC转换器。其热稳定性良好，可在较高温度下持续工作而不影响性能。此外，TV50C540J-G的内部结构优化降低了开关损耗，同时减少了反向恢复损耗，适用于各种功率电子设备的设计。
这款MOSFET还具备较强的抗冲击电流能力，能够承受瞬间的大电流负载，从而提高了系统的可靠性。其封装材料符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子产品的制造。
TV50C540J-G广泛应用于多种功率电子系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、LED照明驱动电路以及工业自动化控制系统等。由于其高耐压、低导通电阻和良好的热管理特性，该器件特别适合用于需要高效率和稳定性的电源转换设备。此外，在新能源领域，如太阳能逆变器和电动车充电模块中，TV50C540J-G也可作为关键的功率开关元件使用。
TK25A50D, IRF540N, STP25NM50N
